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Piastra portante RTP rivestita in SiC per crescita epitassiale
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Suscettore epitassiale LED
Suscettore epitassiale LED UV profondo
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Suscettore epitassiale LED verde blu
Ricevitore a canna
Suscettore a barilotto rivestito in SiC CVD
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Grafite rivestita in carburo di silicio del suscettore della canna
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Suscettore cilindrico rivestito in SiC per crescita epitassiale LPE
|
Sistema Epi ricevitore a canna
|
Sistema di reattori per epitassia in fase liquida (LPE).
|
Deposizione epitassiale CVD nel reattore a barile
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Deposizione epitassiale di silicio nel reattore a barile
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Sistema Epi a canna riscaldata induttivamente
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Struttura a cilindro per reattore epitassiale a semiconduttore
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Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC
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Suscettore di crescita dei cristalli rivestito in SiC
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Suscettore a barilotto per epitassia in fase liquida
|
Canna in grafite rivestita in carburo di silicio
|
Suscettore a barilotto rivestito in SiC durevole
|
Suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura
|
Suscettore a barilotto rivestito in SiC
|
Suscettore cilindrico con rivestimento SiC in semiconduttore
|
Suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale
|
Suscettore cilindrico rivestito in SiC per wafer epitassiale
|
Cilindro del reattore epitassiale rivestito in SiC
|
Suscettore del cilindro del reattore rivestito in carburo
|
Cilindro suscettore rivestito in SiC per camera del reattore epitassiale
|
Suscettore del cilindro rivestito in carburo di silicio
|
Ricevitore a canna EPI da 3 1/4".
|
Suscettore cilindrico rivestito in SiC
|
Suscettore a barilotto rivestito in carburo di silicio SiC
Silicio monocristallino
Piastra Si epitassiale monocristallina
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Suscettore Epi in silicio monocristallino
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Suscettore in wafer di silicio monocristallino
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Suscettore epitassiale in silicio monocristallino
Portatore di frittelle
Suscettore in grafite rivestito in SiC MOCVD
|
Suscettore pancake SiC CVD
|
Suscettore Pancake per processo epitassiale wafer
|
Suscettore per pancake in grafite rivestito in SiC CVD
Parti fotovoltaiche
Piedistallo in silicone
|
Barca per ricottura del silicio
|
Barca per wafer orizzontale SiC
|
Barca per wafer in ceramica SiC
|
Barca SiC per la diffusione di celle solari
|
Supporto per barca SiC
|
Supporto per barca in carburo di silicio
|
Barca solare in grafite
|
Supporta il Crogiolo
GaN sull'epitassia SiC
CVD SiC
Soffione doccia in SiC solido
|
Anello di messa a fuoco CVD SiC
|
Anello di acquaforte
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Soffione doccia CVD SiC
|
Anello SiC sfuso
|
Soffione doccia in carburo di silicio CVD
|
Soffione doccia CVD SiC
|
Anello di messa a fuoco in carburo di silicio solido
|
Soffione doccia SiC
|
Soffione doccia CVD con rivestimento SiC
|
Anello SiC CVD
|
Anello per incisione in SiC solido
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Anello di incisione CVD SiC in carburo di silicio
|
Soffione CVD-SiC
|
Soffione doccia in grafite rivestito in SiC CVD
Componenti a semiconduttore
Riscaldatore per wafer
Riscaldatore del rivestimento SiC
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Riscaldatore MOCVD
Coperchi delle camere
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Anelli di ingresso
Anello di messa a fuoco
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Pagaia a sbalzo
Soffione doccia
Soffione doccia metallico
Tubo di processo
Mezze Parti
Disco per macinare wafer
Rivestimento TaC
Parte in carburo di tantalio
|
Anelli in carburo di tantalio
|
Suscettore wafer con rivestimento TaC
|
Anelli guida con rivestimento TaC
|
Anello guida in carburo di tantalio
|
Anello in carburo di tantalio
|
Vassoio per wafer con rivestimento TaC
|
Piastra di rivestimento TaC
|
LPE SiC-Epi Halfmoon
|
Copertura con rivestimento CVD TaC
|
Anello guida rivestimento TaC
|
Mandrino per wafer con rivestimento TaC
|
Suscettore MOCVD con rivestimento TaC
|
Anello rivestito in TaC CVD
|
Suscettore planetario rivestito in TaC
|
Anello guida con rivestimento in carburo di tantalio
|
Crogiolo di grafite con rivestimento in carburo di tantalio
|
Crogiolo di carburo di tantalio
|
Parte mezzaluna in carburo di tantalio
|
Crogiolo con rivestimento TaC
|
Tubo rivestito in TaC
|
Halfmoon rivestito in TaC
|
Anello di tenuta rivestito in TaC
|
Ricevitore rivestito in carburo di tantalio
|
Mandrino in carburo di tantalio
|
Anello rivestito in TaC
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Soffione doccia rivestito in TaC
|
Mandrino rivestito in TaC
|
Grafite porosa con rivestimento TaC
|
Grafite porosa rivestita in carburo di tantalio
|
Suscettore rivestito in TaC
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Mandrino con rivestimento in carburo di tantalio
|
Anello di rivestimento CVD TaC
|
Piastra planetaria con rivestimento TaC
|
Rivestimento TaC Halfmoon superiore
|
Parte mezzaluna con rivestimento in carburo di tantalio
|
Rivestimento TaC Mezzaluna
|
Mandrino con rivestimento TaC
|
Piastra epitassiale con rivestimento TaC
|
Piastra rivestita in TaC
|
Maschera di rivestimento TaC
|
Suscettore del rivestimento TaC
|
Anello rivestito in carburo di tantalio
|
Parti in grafite rivestita in TaC
|
Copertura in grafite con rivestimento TaC
|
Anello di rivestimento TaC
|
Suscettore wafer rivestito in TaC
|
Piastra rivestita in carburo di tantalio TaC
|
Anello guida rivestito in TaC
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Suscettore in grafite rivestito in TaC
|
Parti in grafite rivestite in carburo di tantalio
|
Ricevitore in grafite rivestito in carburo di tantalio
|
Grafite porosa rivestita in TaC
|
Anelli rivestiti in TaC
|
Crogiolo rivestito in TaC
Grafite speciale
Grafite isostatica
Campo termico di grafite
|
Strumenti di estrazione in silicio singolo in grafite
|
Crogiolo per Silicio Monocristallino
|
Riscaldatore in grafite per zona calda
|
Elementi riscaldanti in grafite
|
Parti in grafite
|
Polvere di carbonio ad alta purezza
|
Parti per l'impianto ionico
|
Crogioli per la crescita dei cristalli
|
Crogioli di grafite isostatica per fusione
|
Riscaldatore per la crescita dei cristalli di zaffiro
|
Crogiolo di grafite isostatica
|
Barca in grafite PECVD
|
Barca solare in grafite per PECVD
|
Grafite isostatica
|
Grafite isostatica di grafite ad elevata purezza
Grafite porosa
Grafite ultrasottile con elevata porosità
|
Isolante per la crescita del cristallo di zaffiro
|
Materiale in grafite porosa di elevata purezza
|
Crogiolo di grafite porosa
|
Carbonio poroso
|
Materiali in grafite porosa per applicazioni di crescita di SiC monocristallino
Feltro rigido
Feltro composito rigido
|
Feltro duro in fibra di carbonio composito
|
Feltro rigido in grafite ad alta purezza
Feltro morbido
Morbido feltro di grafite
|
Morbido feltro di grafite per isolamento
|
Feltro morbido in carbonio e grafite
Lamina di grafite
Rotolo di lamina di grafite
|
Lamina flessibile in grafite
|
Fogli di pura grafite
|
Lamina di grafite flessibile ad alta purezza
Composito C/C
Crogiolo composito C/C
|
Compositi di carbonio carbonio
|
Composito rinforzato carbonio-carbonio
|
Carbonio composito
Ceramica
Carburo di silicio (SiC)
Anello di tenuta in ceramica SiC
|
Tubo del forno SiC
|
Piastra SiC
|
Guarnizione Ceramica SiC Part
|
O-Ring in SiC
|
Parte di tenuta SiC
|
Barca SiC
|
Barche per wafer SiC
|
Barca Di Wafer
|
Mandrino per wafer in carburo di silicio
|
Mandrino in ceramica SiC
|
Piastra ICP SiC
|
Piastra per incisione SiC ICP
|
Pagaia cantilever SiC personalizzata
|
Cuscinetto SiC
|
Anello di tenuta in carburo di silicio
|
Mandrini di ispezione wafer SiC
|
Tubo per forno a diffusione SiC
|
Barca di diffusione SiC
|
Piastra per incisione ICP
|
Riflettore SiC
|
Piastre di trasferimento del calore in ceramica SiC
|
Parti strutturali in ceramica al carburo di silicio
|
Mandrino in carburo di silicio
|
Chuck SiC
|
Scheletro della macchina per litografia
|
Polvere di SiC
|
Polvere di carburo di silicio di tipo N
|
Polvere fine di SiC
|
Barca SiC di elevata purezza
|
Barca SiC per la movimentazione dei wafer
|
Trasportatore della barca del wafer
|
Barca per wafer con deflettore
|
Mandrino a vuoto SiC
|
Mandrino per wafer SiC
|
Tubo del forno a diffusione
|
Rivestimenti per tubi di processo SiC
|
Pagaia a sbalzo SiC
|
Barca verticale del wafer
|
Mano di trasferimento wafer SiC
|
Dito SiC
|
Tubo di processo in carburo di silicio
|
Mano robotica
|
Parti della guarnizione SiC
|
Anello di tenuta in SiC
|
Anello di tenuta meccanica
|
Anello di tenuta
|
Copertura del coperchio in grafite rivestita in SiC
|
Mola per wafer in carburo di silicio
|
Disco abrasivo per wafer SiC
|
Elementi riscaldanti in carburo di silicio del riscaldatore SiC
|
Supporto per wafer SiC in semiconduttore
|
Aste SiC con filamento riscaldante per elemento riscaldante SiC
|
Supporto per wafer SiC
|
Wafer Boat a semiconduttore per forni verticali
|
Tubo di processo per forni a diffusione
|
Tubo di processo SiC
|
Paletta a sbalzo in carburo di silicio
|
Paletta a sbalzo in ceramica SiC
|
Mano di trasferimento del wafer
|
Wafer Boat per il processo dei semiconduttori
|
Barca per wafer SiC
|
Barca per wafer ceramici in carburo di silicio
|
Barca di wafer in batch
|
Barca con wafer epitassiale
|
Barca in wafer in ceramica
|
Barca con wafer a semiconduttore
|
Barca per wafer in carburo di silicio
|
Parti della tenuta meccanica
|
Tenuta Meccanica per Pompa
|
Tenuta meccanica in ceramica
|
Tenuta meccanica al carburo di silicio
|
Porta wafer in ceramica
|
Vassoio porta wafer
|
Semiconduttore porta-wafer
|
Supporto per wafer di silicio
|
Boccola in carburo di silicio
|
Boccola in ceramica
|
Manicotto dell'asse in ceramica
|
Manicotto dell'asse in SiC
|
Mandrino per wafer a semiconduttore
|
Mandrino per vuoto per wafer
|
Anelli di messa a fuoco durevoli per la lavorazione di semiconduttori
|
Anello di messa a fuoco per l'elaborazione al plasma
|
Anelli di messa a fuoco SiC
|
Anello di tenuta dell'ingresso MOCVD
|
Anelli di ingresso MOCVD
|
Anello di ingresso gas per apparecchiature a semiconduttore
|
Effettore finale per la gestione dei wafer
|
Effettore finale del robot
|
Effettore finale SiC
|
Effettore finale in ceramica
|
Coperchio della camera in carburo di silicio
|
Coperchio della camera a vuoto MOCVD
|
Riscaldatore per wafer rivestito in SiC
|
Riscaldatore per wafer di silicio
|
Riscaldatore di processo per wafer
Allumina (Al2O3)
Substrato Al2O3
|
Mandrino sottovuoto Al2O3
|
Mandrino sottovuoto in ceramica di allumina
|
Mandrino dell'ESC
|
E-Chuck
|
Braccio caricatore wafer
|
Mandrino elettrostatico in ceramica
|
Mandrino elettrostatico
|
Effettore finale in allumina
|
Braccio robotico in ceramica di allumina
|
Flange in ceramica di allumina
|
Mandrino sottovuoto in allumina
|
Mandrini per wafer in ceramica di allumina
|
Mandrino in allumina
|
Flangia della piastra in allumina
Nitruro di silicio (Si3N4)
Rullo guida in nitruro di silicio
|
Cuscinetto in nitruro di silicio
|
Disco in nitruro di silicio
Nitruro di alluminio (AIN)
Riscaldatore AlN
|
Substrato AIN
|
Mandrino elettrostatico E-Chuck
|
Mandrino elettrostatico ESC
|
Anelli isolanti in nitruro di alluminio
|
Mandrini elettrostatici in nitruro di alluminio
|
Mandrino in ceramica al nitruro di alluminio
|
Supporto per wafer in nitruro di alluminio
Zirconio (ZrO2)
Braccio robotizzato in zirconio ZrO2
|
Ugello in ceramica allo zirconio
Ceramica composita
Riscaldatori PBN/PG
|
Mandrini riscaldanti PBN
|
Riscaldatori pirolitici al nitruro di boro
|
Riscaldatori PBN
|
Compositi C/SiC modificati
|
Compositi a matrice ceramica SiC/SiC
|
Compositi a matrice ceramica C/SiC
Manicotto dell'asse
Boccola
Portatore di wafer
Tenuta meccanica
Barca Di Wafer
Quarzo
Barca al quarzo
Barca a diffusione al quarzo
|
Barca al quarzo da 12 pollici
|
Supporto per wafer al quarzo
|
Barca con wafer al quarzo fuso
Tubo al quarzo
Tubo di diffusione al quarzo
|
Tubo esterno al quarzo da 12 pollici
|
Tubo di diffusione
|
Tubo al quarzo fuso
Crogiolo di quarzo
Crogiolo di quarzo ad elevata purezza
|
Crogiolo di quarzo fuso
|
Crogiolo di quarzo in semiconduttore
Serbatoio al quarzo
Camera al quarzo
|
Serbatoio al quarzo per lavorazione ad umido
|
Serbatoio di pulizia
|
Serbatoio di pulizia al quarzo
|
Serbatoio al quarzo semiconduttore
Piedistallo al quarzo
Piedistallo in quarzo fuso
|
Piedistallo al quarzo da 12 pollici
|
Piedistallo in vetro al quarzo
|
Piedistallo con pinna in quarzo
Campana di quarzo
Campana di quarzo ad alta purezza
|
Campana di quarzo a semiconduttore
|
Campana di quarzo
Anello al quarzo
Anello al quarzo fuso
|
Anello al quarzo semiconduttore
|
Anello al quarzo
Altre parti al quarzo
Secchio termico al quarzo
|
Sabbia di quarzo
|
Iniettore al quarzo
|
Secchio termico al quarzo da 8 pollici
Wafer
Wafer
Wafer di silicio
|
Substrato di silicio
Substrato SiC
Wafer fittizio SiC
|
Substrato wafer 3C-SiC
|
Wafer SiC di tipo N da 8 pollici
|
Lingotto SiC di tipo N da 4" 6" 8".
|
Lingotto SiC semiisolante da 4" 6" ad alta purezza
|
Wafer con substrato SiC di tipo P
|
Wafer SiC di tipo N da 6 pollici
|
Substrato SiC di tipo N da 4 pollici
|
Wafer SiC HPSI semiisolante da 6 pollici
|
Substrato wafer lucidato su entrambi i lati HPSI SiC semi-isolante ad alta purezza da 4 pollici
Wafer SOI
Silicio su wafer isolanti
|
Wafer SOI
|
Silicio su wafer isolante
|
Wafer SOI in silicio su isolante
Substrato SiN
Piastre peccato
|
Substrati SiN
|
Substrati semplici in ceramica SiN
|
Substrato ceramico in nitruro di silicio
Epi-Wafer
Wafer Epi GaN-on-Si ad alta potenza da 850 V
|
Si Epitassia
|
Epitassia del GaN
|
Epitassia SiC
Ossido di gallio Ga2O3
Substrati di ossido di gallio da 2 pollici
|
Substrati di ossido di gallio da 4 pollici
|
Epitassia Ga2O3
|
Substrato Ga2O3
Cassetta
Maniglie delle cassette
|
Scatola per cassette per wafer
|
Cassette di wafer
|
Cassetta per semiconduttori
|
Portatori di wafer
|
Portacassette per wafer
|
Cassetta PFA
|
Cassetta di wafer
Wafer AlN
Substrato in alluminio M-plane non polare da 10x10 mm
|
Substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm
Forno CVD
Forni per deposizione chimica in fase vapore CVD
|
Forno sottovuoto CVD e CVI
Altro materiale semiconduttore
UHTMCC
Notizia
Notizie dall'azienda
Semicorex annuncia il wafer epitassiale SiC da 8 pollici
|
Inizia la produzione di wafer 3C-SiC
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Cosa sono le pagaie a sbalzo?
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Cosa sono i suscettori in grafite rivestiti in SiC?
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Cos'è il composito C/C?
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Rilasciati prodotti epitassiali GaN HEMT ad alta potenza da 850 V
|
Cos'è la grafite isostatica?
|
Grafite porosa per la crescita di cristalli SiC di alta qualità mediante metodo PVT
|
Presentazione della tecnologia di base della barca in grafite
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Cos'è la grafitazione?
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Presentazione dell'ossido di gallio (Ga2O3)
|
Applicazioni del wafer di ossido di gallio
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Vantaggi e svantaggi delle applicazioni del nitruro di gallio (GaN).
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Cos'è il carburo di silicio (SiC)?
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Quali sono le sfide della produzione di substrati di carburo di silicio?
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Cos'è il suscettore in grafite rivestito in SiC?
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Materiale isolante in campo termico
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La prima azienda di industrializzazione del substrato di ossido di gallio da 6 pollici
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Il significato dei materiali di grafite porosa per la crescita dei cristalli SiC
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Strati e substrati epitassiali di silicio nella produzione di semiconduttori
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Processi al plasma nelle operazioni CVD
|
Grafite porosa per la crescita dei cristalli SiC
|
Cos'è una barca SiC e quali sono i suoi vari processi di produzione?
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Sfide di applicazione e sviluppo dei componenti in grafite rivestita in TaC
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Forno di crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC).
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Una breve storia del carburo di silicio e applicazioni dei rivestimenti in carburo di silicio
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Vantaggi della ceramica al carburo di silicio nell'industria delle fibre ottiche
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Materiale del nucleo per la crescita del SiC: rivestimento in carburo di tantalio
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Quali sono i pro e i contro dell'incisione a secco e dell'incisione a umido?
|
Qual è la differenza tra wafer epitassiali e diffusi
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Wafer epitassiali al nitruro di gallio: un'introduzione al processo di fabbricazione
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Barche SiC contro barche al quarzo: utilizzo attuale e tendenze future nella produzione di semiconduttori
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Comprendere la deposizione chimica da fase vapore (CVD): una panoramica completa
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SiC spesso CVD ad elevata purezza: approfondimenti sul processo per la crescita del materiale
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Demistificazione della tecnologia del mandrino elettrostatico (ESC) nella gestione dei wafer
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Ceramiche al carburo di silicio e loro diversi processi di fabbricazione
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Quarzo ad elevata purezza: un materiale indispensabile per l'industria dei semiconduttori
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Una rassegna di 9 tecniche di sinterizzazione per ceramiche in carburo di silicio
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Tecniche di preparazione specializzate per ceramiche al carburo di silicio
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Perché scegliere la sinterizzazione senza pressione per la preparazione della ceramica SiC?
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Analisi delle applicazioni e delle prospettive di sviluppo dei ceramici SiC nei settori dei semiconduttori e del fotovoltaico
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Come viene applicata la ceramica al carburo di silicio e qual è il suo futuro in termini di resistenza all'usura e alle alte temperature?
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Lo studio sulle ceramiche SiC sinterizzate per reazione e le loro proprietà
Notizie del settore
Cos'è l'epitassia SiC?
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Cos'è il processo wafer epitassiale?
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A cosa servono i wafer epitassiali?
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Cos'è un sistema MOCVD?
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Qual è il vantaggio del carburo di silicio?
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Cos'è un semiconduttore?
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Come classificare i semiconduttori
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La carenza di chip continua a essere un problema
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Il Giappone ha recentemente limitato le esportazioni di 23 tipi di apparecchiature per la produzione di semiconduttori
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Processo CVD per epitassia wafer SiC
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La Cina è rimasta il più grande mercato di apparecchiature a semiconduttore
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Discutere del forno CVD
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Scenari applicativi per strati epitassiali
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TSMC: il prossimo anno la produzione di test sui rischi di processo a 2 nm
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Fondi per progetti di semiconduttori
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MOCVD è l'attrezzatura chiave
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Crescita sostanziale del mercato dei suscettori di grafite rivestita di SiC
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Qual è il processo di SiC epitassiale?
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Perché scegliere suscettori di grafite rivestiti in SiC?
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Cos'è il wafer SiC di tipo P?
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Diversi tipi di ceramica SiC
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I chip di memoria coreani sono crollati
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Cos'è SOI
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Conoscere la pagaia a sbalzo
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Cos'è CVD per SiC
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La PSMC di Taiwan costruirà una fabbrica di wafer da 300 mm in Giappone
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Informazioni sugli elementi riscaldanti a semiconduttore
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Applicazioni del settore GaN
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Panoramica sullo sviluppo del settore fotovoltaico
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Cos'è il processo CVD nei semiconduttori?
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Rivestimento TaC
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Cos'è l'epitassia in fase liquida?
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Perché scegliere il metodo epitassia in fase liquida?
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Informazioni sui difetti nei cristalli SiC - Micropipe
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Dislocazione nei cristalli di SiC
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Incisione a secco vs Incisione a umido
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Epitassia SiC
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Cos'è la grafite isostatica?
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Qual è il processo di produzione della grafite isostatica?
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Cos'è il forno a diffusione?
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Come produrre barre di grafite?
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Cos'è la grafite porosa?
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Rivestimenti in carburo di tantalio nell'industria dei semiconduttori
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Attrezzatura LPE
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Crogiolo con rivestimento TaC per la crescita dei cristalli AlN
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Metodi di crescita dei cristalli AlN
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Rivestimento TaC con metodo CVD
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L'impatto della temperatura sui rivestimenti CVD-SiC
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Elementi riscaldanti in carburo di silicio
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Cos'è il quarzo?
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Prodotti al quarzo in applicazioni a semiconduttori
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Presentazione del trasporto fisico del vapore (PVT)
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3 metodi di stampaggio della grafite
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Rivestimento in campo termico di monocristalli di silicio semiconduttore
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GaN contro SiC
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Puoi macinare il carburo di silicio?
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Industria del carburo di silicio
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Cos'è un rivestimento TaC sulla grafite?
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Differenze tra cristalli SiC con strutture diverse
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Processo di taglio e macinazione del substrato
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Applicazioni di componenti in grafite rivestiti con TaC
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Conoscere MOCVD
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Controllo antidoping nella crescita SiC a sublimazione
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Vantaggi del SiC nel settore dei veicoli elettrici
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L’impennata e le prospettive del mercato dei dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC).
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Conoscere GaN
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Il ruolo cruciale degli strati epitassiali nei dispositivi a semiconduttore
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Strati epitassiali: la base dei dispositivi semiconduttori avanzati
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Metodo per preparare la polvere di SiC
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Introduzione al processo di impianto ionico e ricottura del carburo di silicio
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Applicazioni del carburo di silicio
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Parametri chiave dei substrati di carburo di silicio (SiC).
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Principali fasi della lavorazione del substrato SiC
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Substrato vs. epitassia: ruoli chiave nella produzione di semiconduttori
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Introduzione ai semiconduttori di terza generazione: GaN e tecnologie epitassiali correlate
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Difficoltà nella preparazione del GaN
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Tecnologia dell'epitassia del wafer al carburo di silicio
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Introduzione ai dispositivi di potenza al carburo di silicio
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Comprensione della tecnologia di incisione a secco nell'industria dei semiconduttori
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Substrato in carburo di silicio
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Difficoltà nella preparazione dei substrati SiC
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Comprensione del processo completo di fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore
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Varie applicazioni del quarzo nella produzione di semiconduttori
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Sfide della tecnologia di impianto ionico nei dispositivi di potenza SiC e GaN
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Processo di impianto e diffusione di ioni
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Cos'è il processo CMP
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Come eseguire il processo CMP
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Perché l'epitassia del nitruro di glilio (GaN) non cresce su un substrato GaN?
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Processo di ossidazione
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Crescita epitassiale priva di difetti e lussazioni disadattate
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Semiconduttori di quarta generazione Ossido di gallio/β-Ga2O3
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Applicazione di SiC e GaN nei veicoli elettrici
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Il ruolo critico dei substrati SiC e della crescita dei cristalli nell'industria dei semiconduttori
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Flusso del processo del nucleo del substrato in carburo di silicio
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Taglio SiC
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Wafer di silicio
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Substrato ed epitassia
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Silicio monocristallino e silicio policristallino
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Eteroepitassia di 3C-SiC: una panoramica
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Processo di crescita del film sottile
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Cos'è il grado di grafitizzazione?
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Ceramica SiC: il materiale indispensabile per componenti di alta precisione nella produzione di semiconduttori
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GaN cristallo singolo
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Metodo di crescita dei cristalli GaN
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Tecnologia di purificazione della grafite nel semiconduttore SiC
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Sfide tecniche nei forni di crescita dei cristalli di carburo di silicio
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Quali applicazioni del substrato di nitruro di gallio (GaN)?
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Progressi della ricerca sui rivestimenti TaC su superfici di materiali a base di carbonio
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Tecnologia di produzione della grafite isostatica
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Cos'è il campo termico?
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GaN e SiC: coesistenza o sostituzione?
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Cos'è il mandrino elettrostatico (ESC)?
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Comprendere le differenze di incisione tra wafer di silicio e carburo di silicio
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Cos'è il nitruro di silicio
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Ossidazione nella lavorazione dei semiconduttori
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Produzione di silicio monocristallino
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Infineon presenta il primo wafer GaN di potenza da 300 mm al mondo
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Cos'è il sistema del forno di crescita dei cristalli
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Lo studio sulla distribuzione della resistività elettrica nei cristalli 4H-SiC di tipo n
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Perché utilizzare la pulizia ad ultrasuoni nella produzione di semiconduttori
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Cos'è la ricottura termica
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Ottenimento di una crescita di cristalli SiC di alta qualità attraverso il controllo del gradiente di temperatura nella fase di crescita iniziale
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Produzione di chip: processi a film sottile
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Come vengono effettivamente prodotti i mandrini elettrostatici in ceramica?
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Processi di ricottura nella moderna produzione di semiconduttori
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Perché c'è una crescente domanda di ceramiche SiC ad alta conduttività termica nel settore dei semiconduttori?
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Presentazione del materiale siliconico
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Lavorazione del substrato monocristallino SiC
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Orientamento dei cristalli e difetti nei wafer di silicio
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Lucidatura superficiale dei wafer di silicio
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Il difetto fatale del GaN
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Lucidatura finale della superficie del wafer di silicio
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