Substrati di ossido di gallio da 4 pollici

I substrati di ossido di gallio Semicorex da 4" mostrano un'eccellente stabilità chimica e termica, garantendo che le sue prestazioni rimangano costanti e affidabili anche in condizioni estreme. Questa robustezza è fondamentale nelle applicazioni che coinvolgono temperature elevate e ambienti reattivi. Inoltre, i substrati di ossido di gallio da 4" mantengono un'eccellente trasparenza ottica attraverso un'ampia gamma di lunghezze d'onda, dall'ultravioletto all'infrarosso, rendendolo interessante per le applicazioni optoelettroniche, inclusi diodi emettitori di luce e diodi laser.

Con un gap di banda compreso tra 4,7 e 4,9 eV, i substrati di ossido di gallio da 4" superano significativamente il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) in termini di intensità del campo elettrico critico, raggiungendo fino a 8 MV/cm rispetto ai 2,5 MV/cm del SiC e Questa proprietà di 3,3 MV/cm del GaN, combinata con una mobilità elettronica di 250 cm²/Vs e una maggiore trasparenza nella conduzione dell'elettricità, conferisce ai substrati di ossido di gallio da 4" un vantaggio significativo nell'elettronica di potenza. La cifra di merito del suo Baliga supera 3000, più volte quella di GaN e SiC, indicando un'efficienza superiore nelle applicazioni di potenza.

I substrati di ossido di gallio Semicorex da 4" sono particolarmente vantaggiosi per l'uso nelle comunicazioni, nei radar, nell'aerospaziale, nelle ferrovie ad alta velocità e nei veicoli di nuova energia. Sono eccezionalmente adatti per sensori di rilevamento delle radiazioni in questi settori, in particolare in alta potenza, alta temperatura, e dispositivi ad alta frequenza in cui Ga2O3 mostra vantaggi significativi rispetto a SiC e GaN.