La piastra centrale in grafite Semicorex o suscettore MOCVD è un carburo di silicio ad elevata purezza rivestito mediante il metodo di deposizione chimica in fase vapore (CVD), utilizzato nel processo per far crescere lo strato epitassiale sul chip wafer. Il suscettore rivestito in SiC è una parte essenziale del MOCVD, quindi richiede una resistenza termica e chimica superiore, nonché un'elevata uniformità termica. Abbiamo progettato specificamente per queste impegnative applicazioni di apparecchiature per epitassia.
Il susceptor Semicorex MOCVD 3x2’’ sviluppato da Semicorex rappresenta l’apice dell’innovazione e dell’eccellenza ingegneristica, appositamente studiato per soddisfare le complesse esigenze dei processi di produzione contemporanei dei semiconduttori.**
Per saperne di piùInvia richiestaL'anello di rivestimento SiC Semicorex è un componente critico nell'ambiente esigente dei processi di epitassia dei semiconduttori. Con il nostro costante impegno nel fornire prodotti della massima qualità a prezzi competitivi, siamo pronti a diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.*
Per saperne di piùInvia richiestaL'impegno di Semicorex per la qualità e l'innovazione è evidente nel segmento di copertura SiC MOCVD. Consentendo un'epitassia SiC affidabile, efficiente e di alta qualità, svolge un ruolo fondamentale nel miglioramento delle capacità dei dispositivi a semiconduttore di prossima generazione.**
Per saperne di piùInvia richiestaIl segmento interno Semicorex SiC MOCVD è un materiale di consumo essenziale per i sistemi di deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) utilizzati nella produzione di wafer epitassiali in carburo di silicio (SiC). È progettato appositamente per resistere alle difficili condizioni dell'epitassia SiC, garantendo prestazioni di processo ottimali ed epistrati SiC di alta qualità.**
Per saperne di piùInvia richiestaI suscettori wafer Semicorex SiC per MOCVD sono un esempio di precisione e innovazione, realizzati appositamente per facilitare la deposizione epitassiale di materiali semiconduttori su wafer. Le proprietà superiori dei materiali delle piastre consentono loro di resistere alle rigorose condizioni di crescita epitassiale, comprese le alte temperature e gli ambienti corrosivi, rendendole indispensabili per la produzione di semiconduttori ad alta precisione. Noi di Semicorex ci dedichiamo alla produzione e alla fornitura di suscettori wafer SiC ad alte prestazioni per MOCVD che fondono la qualità con l'efficienza dei costi.
Per saperne di piùInvia richiestaI supporti per wafer Semicorex con rivestimento SiC, parte integrante del sistema di crescita epitassiale, si distinguono per la sua eccezionale purezza, resistenza a temperature estreme e robuste proprietà di tenuta, fungendo da vassoio essenziale per il supporto e il riscaldamento dei wafer semiconduttori durante il fase critica della deposizione dello strato epitassiale, ottimizzando così le prestazioni complessive del processo MOCVD. Noi di Semicorex ci dedichiamo alla produzione e alla fornitura di supporti per wafer ad alte prestazioni con rivestimento SiC che fondono la qualità con l'efficienza dei costi.
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