Segmento di copertura SiC MOCVD

Il segmento di copertura Semicorex SiC MOCVD sfrutta una combinazione sinergica di materiali selezionati per le loro prestazioni a temperature estreme e in presenza di precursori altamente reattivi. Il nucleo di ogni segmento è costruito daGrafite isostatica di elevata purezza, vantando un contenuto di ceneri inferiore a 5 ppm. Questa purezza eccezionale riduce al minimo i potenziali rischi di contaminazione, garantendo l'integrità degli epistrati SiC coltivati. Tranne questo, applicato con precisioneRivestimento SiC con deposizione chimica in fase vapore (CVD).forma una barriera protettiva sul substrato di grafite. Questo strato di elevata purezza (≥ 6N) mostra un'eccezionale resistenza ai precursori aggressivi comunemente utilizzati nell'epitassia del SiC.

Caratteristiche principali:

Queste caratteristiche del materiale si traducono in vantaggi tangibili nell'ambiente esigente del SiC MOCVD:

Incrollabile resistenza alla temperatura: la resistenza combinata del segmento di copertura SiC MOCVD garantisce l'integrità strutturale e previene deformazioni o deformazioni anche alle temperature estreme (spesso superiori a 1500°C) richieste per l'epitassia del SiC.

Resistenza agli attacchi chimici: lo strato CVD SiC agisce come uno scudo robusto contro la natura corrosiva dei comuni precursori epitassia SiC, come silano e trimetilalluminio. Questa protezione mantiene l'integrità del segmento di copertura SiC MOCVD durante un uso prolungato, riducendo al minimo la generazione di particelle e garantendo un ambiente di processo più pulito.

Promozione dell'uniformità del wafer: la stabilità termica intrinseca e l'uniformità del segmento di copertura SiC MOCVD contribuiscono a un profilo di temperatura distribuito più uniformemente sul wafer durante l'epitassia. Ciò si traduce in una crescita più omogenea e in un'uniformità superiore degli epistrati SiC depositati.

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Vantaggi operativi:

Oltre ai miglioramenti del processo, il segmento di copertura Semicorex SiC MOCVD offre notevoli vantaggi operativi:

Durata utile prolungata: la selezione e la costruzione robusta dei materiali si traducono in una durata prolungata dei segmenti di copertura, riducendo la necessità di sostituzioni frequenti. Ciò riduce al minimo i tempi di inattività del processo e contribuisce a ridurre i costi operativi complessivi.

Abilitazione dell'epitassia di alta qualità: in definitiva, l'avanzato segmento di copertura SiC MOCVD contribuisce direttamente alla produzione di epistrati SiC di qualità superiore, aprendo la strada a dispositivi SiC ad alte prestazioni utilizzati nell'elettronica di potenza, nella tecnologia RF e in altre applicazioni impegnative.