Suscettore MOCVD per la crescita epitassiale

Semicorex è un fornitore e produttore leader di suscettore MOCVD per la crescita epitassiale. Il nostro prodotto è ampiamente utilizzato nelle industrie dei semiconduttori, in particolare nella crescita dello strato epitassiale sul chip wafer. Il nostro suscettore è progettato per essere utilizzato come piastra centrale in MOCVD, con un design a forma di ingranaggio o anello. Il prodotto ha un'elevata resistenza al calore e alla corrosione, che lo rende stabile in ambienti estremi.

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Uno dei vantaggi del nostro suscettore MOCVD per la crescita epitassiale è la sua capacità di garantire il rivestimento su tutta la superficie, evitando il distacco. Il prodotto ha una resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, che garantisce stabilità ad alte temperature fino a 1600°C. L'elevata purezza del nostro prodotto è ottenuta attraverso la deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura. La superficie densa con particelle fini assicura che il prodotto sia altamente resistente alla corrosione da acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Il nostro suscettore MOCVD per la crescita epitassiale è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.
Contattaci oggi per saperne di più sul nostro suscettore MOCVD per la crescita epitassiale.

Parametri del suscettore MOCVD per la crescita epitassiale

Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore MOCVD per la crescita epitassiale

- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità