Puoi essere certo di acquistare ICP Etching Carrier dalla nostra fabbrica e ti offriremo il miglior servizio post-vendita e consegne puntuali. Il suscettore di wafer Semicorex è realizzato in grafite rivestita di carburo di silicio utilizzando il processo di deposizione chimica da vapore (CVD). Questo materiale possiede proprietà uniche, tra cui resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura, elevata conduttività termica, elevata resistenza e rigidità. Queste proprietà lo rendono un materiale attraente per varie applicazioni ad alta temperatura, inclusi i sistemi di incisione al plasma accoppiato induttivamente (ICP).
Forniamo servizi personalizzati, ti aiutiamo a innovare con componenti che durano più a lungo, riducono i tempi di ciclo e migliorano i rendimenti.
Il componente ICP con rivestimento in SiC di Semicorex è progettato specificamente per processi di manipolazione di wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con un fine rivestimento in cristallo SiC, i nostri supporti offrono una resistenza al calore superiore, uniforme uniformità termica e resistenza chimica duratura.
Per saperne di piùInvia richiestaQuando si tratta di processi di manipolazione dei wafer come epitassia e MOCVD, il rivestimento SiC ad alta temperatura di Semicorex per camere di incisione al plasma è la scelta migliore. I nostri supporti offrono una resistenza al calore superiore, uniforme uniformità termica e resistenza chimica duratura grazie al nostro sottile rivestimento in cristallo SiC.
Per saperne di piùInvia richiestaIl vassoio per incisione al plasma ICP di Semicorex è progettato specificamente per processi di manipolazione di wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con una resistenza all'ossidazione stabile e ad alta temperatura fino a 1600°C, i nostri supporti forniscono profili termici uniformi, schemi di flusso laminare del gas e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.
Per saperne di piùInvia richiestaIl supporto rivestito in SiC di Semicorex per il sistema di incisione al plasma ICP è una soluzione affidabile ed economica per i processi di manipolazione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. I nostri supporti sono dotati di un sottile rivestimento in cristallo SiC che fornisce una resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme e resistenza chimica duratura.
Per saperne di piùInvia richiestaIl suscettore rivestito in carburo di silicio di Semicorex per plasma accoppiato induttivamente (ICP) è progettato specificamente per processi di manipolazione di wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con una resistenza all'ossidazione stabile e ad alta temperatura fino a 1600°C, i nostri supporti assicurano profili termici uniformi, modelli di flusso laminare del gas e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.
Per saperne di piùInvia richiestaIl porta wafer per incisione ICP di Semicorex è la soluzione perfetta per i processi di manipolazione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con una resistenza all'ossidazione stabile e ad alta temperatura fino a 1600°C, i nostri supporti assicurano profili termici uniformi, schemi di flusso laminare del gas e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.
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