Cina Wafer SiC Produttori, Fornitori, Fabbrica

Una sottile fetta di materiale semiconduttore è chiamata wafer, che è costituita da materiale monocristallino purissimo. Nel processo Czochralski, un lingotto cilindrico di un semiconduttore monocristallino altamente puro viene prodotto estraendo un seme di cristallo da una massa fusa.

Il Carburo di Silicio (SiC) ei suoi politipi fanno parte della civiltà umana da molto tempo; l'interesse tecnico di questo composto duro e stabile è stato realizzato nel 1885 e nel 1892 da Cowless e Acheson per scopi di macinazione e taglio, portando alla sua produzione su larga scala.

Le eccellenti proprietà fisiche e chimiche rendono il carburo di silicio (SiC) un candidato importante per una varietà di applicazioni, inclusi dispositivi optoelettronici ad alta temperatura, alta potenza e alta frequenza, un componente strutturale nei reattori a fusione, materiale di rivestimento per il raffreddamento a gas reattori a fissione e una matrice inerte per la trasmutazione del Pu. Diversi poli-tipi di SiC come 3C, 6H e 4H sono stati ampiamente utilizzati. L'impianto ionico è una tecnica critica per introdurre selettivamente droganti per la produzione di dispositivi basati su Si, per fabbricare wafer SiC di tipo p e n.

Il lingottoviene quindi affettato per formare wafer SiC di carburo di silicio.

Proprietà del materiale in carburo di silicio

Politipo	Monocristallo 4H
Struttura di cristallo	Esagonale
Bandgap	3,23 EV
Conduttività termica (tipo n; 0,020 ohm-cm)	a~4,2 W/cm â¢ K @ 298 K c~3,7 W/cm â¢ K @ 298 K
Conducibilità termica (HPSI)	a~4,9 W/cm â¢ K @ 298 K c~3,9 W/cm â¢ K @ 298 K
Parametri del reticolo	a=3.076 Å c=10,053 Å
Durezza Mohs	~9.2
Densità	3,21 g/cm³
Term. Coefficiente di espansione	4-5 x 10^-6/K

Diversi tipi di wafer SiC

Ci sono tre tipi:wafer sic di tipo n, wafer sic di tipo pEwafer sic semiisolante ad alta purezza. Il drogaggio si riferisce all'impianto di ioni che introduce impurità in un cristallo di silicio. Questi droganti consentono agli atomi del cristallo di formare legami ionici, rendendo estrinseco il cristallo una volta intrinseco. Questo processo introduce due tipi di impurità; Tipo N e tipo P. Il âtipoâ che diventa dipende dai materiali utilizzati per creare la reazione chimica. La differenza tra il wafer SiC di tipo N e di tipo P è il materiale principale utilizzato per creare la reazione chimica durante il drogaggio. A seconda del materiale utilizzato, l'orbitale esterno avrà cinque o tre elettroni che ne formano uno con carica negativa (tipo N) e uno con carica positiva (tipo P).

I wafer SiC di tipo N sono utilizzati principalmente in veicoli di nuova energia, trasmissione e sottostazione ad alta tensione, elettrodomestici, treni ad alta velocità, motori, inverter fotovoltaici, alimentatori a impulsi, ecc. Hanno i vantaggi di ridurre la perdita di energia delle apparecchiature, migliorare affidabilità delle apparecchiature, riduzione delle dimensioni delle apparecchiature e miglioramento delle prestazioni delle apparecchiature e vantaggi insostituibili nella realizzazione di dispositivi elettronici di potenza.

Il wafer SiC semi-isolante ad elevata purezza viene utilizzato principalmente come substrato di dispositivi RF ad alta potenza.

Epitassia - Deposizione di nitruri III-V

Strati epitassiali di SiC, GaN, AlxGa1-xN e InyGa1-yN su substrato SiC o zaffiro.

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Substrato wafer 3C-SiC

Il substrato di wafer Semicorex 3C-SiC è realizzato in SiC con cristallo cubico. Da molti anni siamo produttori e fornitori di wafer semiconduttori. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Wafer SiC tipo N da 8 pollici

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Lingotto SiC tipo N da 4" 6" 8".

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Lingotto SiC semi-isolante da 4" 6" ad alta purezza

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Wafer di substrato SiC di tipo P

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Wafer SiC tipo N da 6 pollici

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