Wafer SiC di tipo N da 8 pollici

Semicorex dispone di una linea completa di prodotti wafer in carburo di silicio (SiC), inclusi substrati 4H e 6H con wafer semiisolanti di tipo N, tipo P e ad elevata purezza, che possono essere con o senza epitassia.

Il nostro wafer SiC di tipo N da 8 pollici è un tipo di wafer di alta qualità costituito da un singolo cristallo di carburo di silicio con un drogaggio di tipo N, che è a doppia lucidatura. Progettato per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni, dall'elettronica di potenza ai dispositivi ad alta frequenza, questo wafer è in prima linea nella rivoluzione del carburo di silicio.

Il materiale SiC utilizzato in questo wafer vanta un'eccezionale conduttività termica, consentendo un'efficiente dissipazione del calore e riducendo la resistenza termica. Questa caratteristica garantisce l'affidabilità e la longevità dei dispositivi che operano ad alte temperature, rendendolo perfetto per ambienti esigenti in cui la robustezza è fondamentale.

Inoltre, il wafer SiC di tipo N da 8 pollici offre eccellenti proprietà elettriche, come elevata mobilità dei portanti e basse perdite di potenza, portando a capacità di gestione della potenza migliorate e un consumo energetico ridotto. Queste caratteristiche lo rendono una scelta eccellente per le applicazioni di elettronica di potenza, inclusi inverter, convertitori e azionamenti di motori, dove l'efficienza e l'affidabilità sono fondamentali.