Cina Rivestimento TaC Produttori, Fornitori, Fabbrica

La grafite con rivestimento TaC viene creata rivestendo la superficie di un substrato di grafite ad elevata purezza con uno strato sottile di carburo di tantalio mediante un processo proprietario di deposizione chimica in fase vapore (CVD).

Il carburo di tantalio (TaC) è un composto costituito da tantalio e carbonio. Ha una conduttività elettrica metallica e un punto di fusione eccezionalmente alto, che lo rendono un materiale ceramico refrattario noto per la sua robustezza, durezza e resistenza al calore e all'usura. Il punto di fusione dei carburi di tantalio raggiunge il picco a circa 3880°C a seconda della purezza e ha uno dei punti di fusione più alti tra i composti binari. Ciò lo rende un'alternativa interessante quando le richieste di temperature più elevate superano le capacità prestazionali utilizzate nei processi epitassiali di semiconduttori composti come MOCVD e LPE.

Dati sui materiali del rivestimento Semicorex TaC

Progetti	Parametri
Densità	14,3 (gr/cm³)
Emissività	0.3
CET (×10^-6/K)	6.3
Durezza (HK)	2000
Resistenza (Ohm-cm)	1×10^-5
Stabilità termica	<2500 ℃
Modifica della dimensione della grafite	-10~-20um (valore di riferimento)
Spessore del rivestimento	Valore tipico ≥20um (35um±10um)

Quelli sopra riportati sono valori tipici

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Anello guida

L'anello guida Semicorex con rivestimento in carburo di tantalum CVD è un componente altamente affidabile e avanzato per i forni a crescita singola SIC. Le sue proprietà di materiale superiore, durata e design ingegnerizzato di precisione lo rendono una parte essenziale del processo di crescita dei cristalli. Scegliendo il nostro anello guida di alta qualità, i produttori possono ottenere una maggiore stabilità del processo, tassi di resa più elevati e qualità del cristallo SIC superiore.*

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Porta wafer di rivestimento CVD

Il supporto per wafer di rivestimento CVD Semicorex è un componente ad alte prestazioni con un rivestimento in carburo di Tantalum, progettato per la precisione e la durata nei processi di epitassia a semiconduttore. Scegli Semicorex per soluzioni affidabili e avanzate che migliorano l'efficienza della produzione e garantiscono una qualità superiore in ogni applicazione.*

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TAC Rivestimento di mezzaluna parte

La parte di mezzaluna del rivestimento semicorex TAC è una componente ad alte prestazioni progettata per l'uso nei processi di epitassia SIC all'interno di forni epitassia LPE. Scegli Semicorex per qualità senza pari, ingegneria di precisione e impegno a far avanzare l'eccellenza della produzione di semiconduttori.*

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Parte mezzaluna per LPE

Semicorex Halfmoon Part per LPE è un componente di grafite rivestito di TaC progettato per l'uso nei reattori LPE, che svolge un ruolo critico nei processi di epitassia SiC. Scegli Semicorex per i suoi componenti durevoli e di alta qualità che garantiscono prestazioni e affidabilità ottimali negli ambienti di produzione di semiconduttori esigenti.*

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Piastra TaC

La piastra Semicorex TaC è un componente in grafite rivestito in TaC ad alte prestazioni progettato per l'uso nei processi di crescita epitassia SiC. Scegli Semicorex per la sua esperienza nella produzione di materiali affidabili e di alta qualità che ottimizzano le prestazioni e la longevità delle tue apparecchiature di produzione di semiconduttori.*

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Parte in grafite rivestita in TaC

La parte in grafite rivestita in TaC Semicorex è un componente ad alte prestazioni progettato per l'uso nei processi di crescita dei cristalli SiC e di epitassia, caratterizzato da un rivestimento durevole in carburo di tantalio che migliora la stabilità termica e la resistenza chimica. Scegli Semicorex per le nostre soluzioni innovative, la qualità superiore dei prodotti e l'esperienza nella fornitura di componenti affidabili e di lunga durata su misura per soddisfare le esigenti esigenze dell'industria dei semiconduttori.*

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