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Cina Rivestimento TaC Produttori, Fornitori, Fabbrica

La grafite con rivestimento TaC viene creata rivestendo la superficie di un substrato di grafite ad alta purezza con uno strato sottile di carburo di tantalio mediante un processo brevettato di deposizione chimica in fase di vapore (CVD).



Il carburo di tantalio (TaC) è un composto costituito da tantalio e carbonio. Ha una conduttività elettrica metallica e un punto di fusione eccezionalmente alto, che lo rende un materiale ceramico refrattario noto per la sua forza, durezza e resistenza al calore e all'usura. Il punto di fusione dei carburi di tantalio raggiunge un picco di circa 3880°C a seconda della purezza e ha uno dei punti di fusione più alti tra i composti binari. Ciò lo rende un'alternativa interessante quando le richieste di temperature più elevate superano le capacità prestazionali utilizzate nei processi epitassiali di semiconduttori composti come MOCVD e LPE.


Dati sui materiali del rivestimento Semicorex TaC

Progetti

Parametri

Densità

14,3 (gm/cm³)

Emissività

0.3

CTE (×10-6/K)

6.3

Durezza (HK)

2000

Resistenza (Ohm-cm)

1×10-5

Stabilità termica

<2500℃

Modifica della dimensione della grafite

-10~-20um (valore di riferimento)

Spessore del rivestimento

Valore tipico â¥20um (35um ± 10um)



Quanto sopra sono valori tipici




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Parti in grafite rivestita in TaC

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Le parti in grafite rivestita Semicorex TaC sono componenti realizzati con precisione appositamente progettati per resistere all'ambiente esigente della lavorazione dei semiconduttori. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Copertura in grafite con rivestimento TaC

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Anello di rivestimento TaC

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Recettore wafer rivestito in TaC

Recettore wafer rivestito in TaC

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Piastra rivestita in carburo di tantalio TaC

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Anello guida rivestito in TaC

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