Cina Rivestimento TaC Produttori, Fornitori, Fabbrica

La grafite con rivestimento TaC viene creata rivestendo la superficie di un substrato di grafite ad elevata purezza con uno strato sottile di carburo di tantalio mediante un processo proprietario di deposizione chimica in fase vapore (CVD).

Il carburo di tantalio (TaC) è un composto costituito da tantalio e carbonio. Ha una conduttività elettrica metallica e un punto di fusione eccezionalmente alto, che lo rendono un materiale ceramico refrattario noto per la sua robustezza, durezza e resistenza al calore e all'usura. Il punto di fusione dei carburi di tantalio raggiunge il picco a circa 3880°C a seconda della purezza e ha uno dei punti di fusione più alti tra i composti binari. Ciò lo rende un'alternativa interessante quando le richieste di temperature più elevate superano le capacità prestazionali utilizzate nei processi epitassiali di semiconduttori composti come MOCVD e LPE.

Dati sui materiali del rivestimento Semicorex TaC

Progetti	Parametri
Densità	14,3 (gr/cm³)
Emissività	0.3
CET (×10^-6/K)	6.3
Durezza (HK)	2000
Resistenza (Ohm-cm)	1×10^-5
Stabilità termica	<2500 ℃
Modifica della dimensione della grafite	-10~-20um (valore di riferimento)
Spessore del rivestimento	Valore tipico ≥20um (35um±10um)

Quelli sopra riportati sono valori tipici

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Vassoio per wafer con rivestimento TaC

Il vassoio per wafer con rivestimento Semicorex TaC deve essere progettato per resistere alle sfide di le condizioni estreme all'interno della camera di reazione, comprese le alte temperature e gli ambienti chimicamente reattivi.**

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Piastra di rivestimento TaC

La piastra di rivestimento Semicorex TaC si distingue come componente ad alte prestazioni per processi di crescita epitassiale impegnativi e altri ambienti di produzione di semiconduttori. Con la sua serie di proprietà superiori, può in definitiva migliorare la produttività e il rapporto costo-efficacia dei processi avanzati di fabbricazione di semiconduttori.**

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LPE SiC-Epi Halfmoon

Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon è una risorsa indispensabile nel mondo dell'epitassia, fornendo una soluzione solida alle sfide poste dalle alte temperature, dai gas reattivi e dai rigorosi requisiti di purezza.**

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Copertura con rivestimento CVD TaC

La copertura di rivestimento Semicorex CVD TaC è diventata una tecnologia abilitante fondamentale negli ambienti esigenti all'interno dei reattori epitassia, caratterizzati da alte temperature, gas reattivi e rigorosi requisiti di purezza, che richiedono materiali robusti per garantire una crescita coerente dei cristalli e prevenire reazioni indesiderate.**

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Anello guida rivestimento TaC

L'anello guida del rivestimento Semicorex TaC funge da parte fondamentale all'interno delle apparecchiature di deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD), garantendo l'erogazione precisa e stabile dei gas precursori durante il processo di crescita epitassiale. L'anello guida del rivestimento TaC rappresenta una serie di proprietà che lo rendono ideale per resistere alle condizioni estreme che si trovano all'interno della camera del reattore MOCVD.**

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Mandrino per wafer con rivestimento TaC

Semicorex TaC Coating Wafer Chuck rappresenta l'apice dell'innovazione nel processo di epitassia dei semiconduttori, una fase critica nella produzione di semiconduttori. Con il nostro impegno nel fornire prodotti della massima qualità a prezzi competitivi, siamo pronti a diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.*

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