Piastra planetaria rivestita in TaC

La piastra planetaria rivestita in TaC Semicorex funge da componente chiave all'interno dei reattori MOCVD, esibendo un design planetario caratterizzato da numerose tasche di wafer disposte lungo la sua superficie. Queste tasche sono create appositamente per accogliere in modo affidabile i wafer durante la fase di crescita di qualsiasi strato epitassiale, stabilizzando i wafer del substrato e riducendo al minimo il movimento del substrato a temperature di processo elevate. L'esatta geometria della tasca fornisce un posizionamento coerente dei wafer, importante per lo spessore uniforme degli strati epitassiali e i livelli di uniformità dei difetti del substrato per tutti i wafer cresciuti durante lo stesso processo.

Un aspetto importante della progettazione della piastra planetaria, ancora una volta, è la dispersione ingegnerizzata dei fori di flusso del gas lungo la superficie della piastra. Questi fori sono progettati con cura e posizionati strategicamente appositamente per dosare il flusso di gas precursori nel reattore, in modo da ottenere una dispersione uniforme del gas e una deposizione uniforme tra ciascun wafer. In qualsiasi processo MOCVD, gli aspetti della dinamica dei gas sono fondamentali nel determinare la qualità del film, l'uniformità dello spessore e le prestazioni complessive del dispositivo. Il design ottimizzato del foro sulRivestimento TaCLa piastra planetaria garantisce che tutti i wafer siano sottoposti alle stesse condizioni di processo, il che fornisce un modo ottimale per migliorare la resa e la riproducibilità.

ILUn aspetto importante della progettazione della piastra planetaria, ancora una volta, è la dispersione ingegnerizzata dei fori di flusso del gas lungo la superficie della piastra. Questi fori sono progettati con cura e posizionati strategicamente appositamente per dosare il flusso di gas precursori nel reattore, in modo da ottenere una dispersione uniforme del gas e una deposizione uniforme tra ciascun wafer. In qualsiasi processo MOCVD, gli aspetti della dinamica dei gas sono fondamentali nel determinare la qualità del film, l'uniformità dello spessore e le prestazioni complessive del dispositivo. Il design ottimizzato del foro sulallunga ulteriormente le prestazioni e la durata della piastra planetaria. Il carburo di tantalio è estremamente duro, chimicamente inerte e termicamente conduttivo, il che lo rende un rivestimento eccellente per ambienti MOCVD estremi. Durante l'epitassia, i componenti nel reattore incontreranno alte temperature, gas precursori reattivi ed esposizione al plasma. Il rivestimento TaC funge da robusta barriera alla corrosione, all'ossidazione e alla generazione di particelle, garantendo una significativa estensione della durata della piastra planetaria rispetto a una piastra non rivestita o rivestita in modo convenzionale.

La longevità e la durata della piastra planetaria rivestita in TaC la rendono una scelta economicamente vantaggiosa per i sistemi MOCVD. Il resistente strato TaC è in grado di resistere a cicli termici ripetuti e all'esposizione a gas di processo estremi, mantenendo l'integrità strutturale e la stabilità delle prestazioni durante il funzionamento per periodi di tempo prolungati.