Un soffione SiC (carburo di silicio) è un componente specializzato utilizzato in vari processi industriali, in particolare nell'industria manifatturiera dei semiconduttori. È progettato per distribuire e fornire i gas di processo in modo uniforme e preciso durante i processi di deposizione chimica da vapore (CVD) e di crescita epitassiale.
Il soffione ha la forma di un disco o di un piatto con più fori o ugelli distribuiti uniformemente sulla sua superficie. Questi fori fungono da uscite per i gas di processo, consentendo loro di essere iniettati nella camera di processo o nella camera di reazione. Le dimensioni, la forma e la distribuzione dei fori possono variare a seconda dell'applicazione specifica e dei requisiti di processo.
Uno dei principali vantaggi dell'utilizzo di un soffione SiC è la sua eccellente conduttività termica. Questa proprietà consente un efficiente trasferimento del calore e una distribuzione uniforme della temperatura sulla superficie del soffione, prevenendo punti caldi e garantendo condizioni di processo costanti. La maggiore conducibilità termica consente inoltre un rapido raffreddamento del soffione dopo il processo, riducendo al minimo i tempi di inattività e aumentando la produttività complessiva.
I soffioni SiC sono altamente durevoli e resistenti all'usura, anche in caso di esposizione prolungata a gas corrosivi e alte temperature. Questa longevità si traduce in intervalli di manutenzione prolungati e tempi di fermo macchina ridotti, con conseguenti risparmi sui costi e maggiore affidabilità del processo.
Oltre alla loro robustezza, i soffioni SiC offrono eccellenti capacità di distribuzione del gas. I modelli e le configurazioni dei fori progettati con precisione assicurano un flusso e una distribuzione uniforme del gas sulla superficie del substrato, promuovendo una deposizione uniforme del film e prestazioni del dispositivo migliorate. La distribuzione uniforme del gas aiuta anche a ridurre al minimo le variazioni di spessore del film, composizione e altri parametri critici, contribuendo a migliorare il controllo del processo e la resa.
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Per saperne di piùInvia richiestaIn un apparecchio al plasma per l'incisione e la deposizione chimica da vapore (CVD) di materiali su wafer, i gas di processo vengono forniti in una camera di processo attraverso un soffione doccia in grafite rivestito di SiC CVD. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
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