Il supporto Semicorex RTP è rivestito in carburo di silicio utilizzando il processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD), che è veramente stabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva. Al centro del processo dei semiconduttori, i suscettori epitassia, vengono prima sottoposti all'ambiente di deposizione, quindi hanno un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il supporto rivestito in SiC ha anche un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
● Grafite rivestita in SiC ad elevata purezza
● Resistenza al calore e resistenza chimica superiori
● Elevata uniformità termica
● Eccellente resistenza all'usura
L'anello Semicorex RTP è un anello in grafite rivestito in SiC progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei sistemi RTP (Rapid Thermal Processing). Scegli Semicorex per la nostra tecnologia avanzata dei materiali, che garantisce durata, precisione e affidabilità superiori nella produzione di semiconduttori.*
Per saperne di piùInvia richiestaLa piastra portante in grafite RTP di Semicorex è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione della gestione dei wafer. Il nostro prodotto è progettato per offrire resistenza al calore e uniformità termica superiori, garantendo che i suscettori epitassia siano sottoposti all'ambiente di deposizione, con elevata resistenza al calore e alla corrosione.
Per saperne di piùInvia richiestaIl supporto di rivestimento Semicorex RTP SiC offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendolo la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer semiconduttori. Grazie alla grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.
Per saperne di piùInvia richiestaIl supporto di rivestimento SiC Semicorex RTP/RTA è progettato per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Grazie alla sua elevata resistenza al calore e alla corrosione, questo prodotto è progettato per fornire prestazioni ottimali per la crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
Per saperne di piùInvia richiestaLa piastra portante RTP in grafite Semicorex SiC per MOCVD offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con una grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.
Per saperne di piùInvia richiestaLa piastra portante RTP rivestita in SiC Semicorex per crescita epitassiale è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con i suoi suscettori di grafite di carbonio di alta qualità e i crogioli di quarzo lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc., questo prodotto è ideale per la gestione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC garantisce un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, rendendolo una scelta affidabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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