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Piastra portante in grafite RTP

Piastra portante in grafite RTP

La piastra portante in grafite RTP di Semicorex è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione di wafer semiconduttori, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione di manipolazione di wafer. Il nostro prodotto è progettato per offrire una resistenza al calore e un'uniformità termica superiori, assicurando che i suscettori dell'epitassia siano soggetti all'ambiente di deposizione, con elevata resistenza al calore e alla corrosione.

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Descrizione del prodotto

Il nostro prodotto presenta grafite rivestita di SiC di elevata purezza, che offre eccellenti proprietà di distribuzione del calore, assicurando che il supporto rivestito di SiC abbia una superficie liscia, priva di crepe e delaminazione. La nostra piastra portante in grafite RTP è finemente rivestita in carburo di silicio, assicurando che la superficie sia liscia e priva di difetti. Questo prodotto è altamente durevole contro la pulizia chimica aggressiva ed è progettato per garantire che non si verifichino crepe e delaminazioni.
Offriamo un vantaggio di prezzo che i nostri concorrenti non possono eguagliare e ci impegniamo a diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
Con la nostra piastra di supporto in grafite RTP, puoi essere certo di prestazioni eccellenti, resistenza al calore superiore e uniformità termica. Il supporto rivestito in SiC è progettato per resistere alle alte temperature ed è altamente resistente alla pulizia chimica, assicurando che duri per molti anni. Il nostro prodotto è inoltre progettato per essere facile da usare, rendendolo ideale sia per utenti nuovi che esperti.
In Semicorex, ci impegniamo a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai nostri clienti. Utilizziamo solo i migliori materiali e i nostri prodotti sono progettati per soddisfare i più elevati standard di qualità e prestazioni. La nostra piastra portante in grafite RTP non fa eccezione. Contattaci oggi per saperne di più su come possiamo aiutarti con le tue esigenze di elaborazione dei wafer semiconduttori.


Parametri della piastra portante in grafite RTP

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura di cristallo

FCC fase β

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

μm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Resistenza alla flessione

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curva 4pt, 1300℃)

430

Espansione termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche della piastra portante in grafite RTP

Grafite rivestita di SiC di elevata purezza
Resistenza al calore superiore e uniformità termica
Fine rivestimento in cristallo SiC per una superficie liscia
Elevata durabilità contro la pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo che non si verifichino crepe e delaminazioni.





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