Piastra portante in grafite RTP

La piastra portante in grafite RTP di Semicorex è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione della gestione dei wafer. Il nostro prodotto è progettato per offrire resistenza al calore e uniformità termica superiori, garantendo che i suscettori epitassia siano sottoposti all'ambiente di deposizione, con elevata resistenza al calore e alla corrosione.

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Descrizione del prodotto

Il nostro prodotto è caratterizzato da grafite rivestita in SiC di elevata purezza, che offre eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo che il supporto rivestito in SiC abbia una superficie liscia, priva di crepe e delaminazione. La nostra piastra portante in grafite RTP è finemente rivestita in carburo di silicio, garantendo che la superficie sia liscia e priva di difetti. Questo prodotto è estremamente resistente alla pulizia chimica aggressiva ed è progettato per garantire che non si verifichino crepe e delaminazioni.
Offriamo un vantaggio di prezzo che i nostri concorrenti non possono eguagliare e ci impegniamo a diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
Con la nostra piastra portante in grafite RTP, puoi essere certo di prestazioni eccellenti, resistenza al calore superiore e uniformità termica. Il supporto rivestito in SiC è progettato per resistere alle alte temperature ed è altamente resistente alla pulizia chimica, garantendone la durata per molti anni. Il nostro prodotto è inoltre progettato per essere facile da usare, rendendolo ideale sia per gli utenti nuovi che per quelli esperti.
Noi di Semicorex ci impegniamo a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai nostri clienti. Utilizziamo solo i migliori materiali e i nostri prodotti sono progettati per soddisfare i più elevati standard di qualità e prestazioni. La nostra piastra portante in grafite RTP non fa eccezione. Contattaci oggi per saperne di più su come possiamo aiutarti con le tue esigenze di elaborazione di wafer semiconduttori.

Parametri della piastra portante in grafite RTP

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche della piastra portante in grafite RTP

Grafite rivestita in SiC ad elevata purezza
Resistenza al calore e uniformità termica superiori
Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia
Elevata resistenza alla pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.