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Piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale

La piastra portante RTP rivestita in SiC Semicorex per la crescita epitassiale è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer semiconduttori. Con i suoi suscettori di grafite di carbonio di alta qualità e crogioli di quarzo lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc., questo prodotto è ideale per la manipolazione dei wafer e la lavorazione della crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC garantisce un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, rendendolo una scelta affidabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.

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Descrizione del prodotto

La nostra piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale è progettata per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Con la sua elevata resistenza al calore e alla corrosione, i suscettori epitassiali sono sottoposti all'ambiente di deposizione perfetto per la crescita epitassiale. Il sottile rivestimento in cristallo SiC sul supporto garantisce una superficie liscia e un'elevata durata contro la pulizia chimica, mentre il materiale è progettato per prevenire crepe e delaminazione.
Contattaci oggi per saperne di più sulla nostra piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale.

Parametri della piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale

Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche della piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale

Grafite rivestita di SiC di elevata purezza
Resistenza al calore superiore e uniformità termica
Fine rivestimento in cristallo SiC per una superficie liscia
Elevata durabilità contro la pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo che non si verifichino crepe e delaminazioni.

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