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Piastra portante RTP rivestita in SiC per crescita epitassiale

Piastra portante RTP rivestita in SiC per crescita epitassiale

La piastra portante RTP rivestita in SiC Semicorex per crescita epitassiale è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con i suoi suscettori di grafite di carbonio di alta qualità e i crogioli di quarzo lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc., questo prodotto è ideale per la gestione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC garantisce un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, rendendolo una scelta affidabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.

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Descrizione del prodotto

La nostra piastra portante RTP rivestita in SiC per crescita epitassiale è progettata per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Grazie alla loro elevata resistenza al calore e alla corrosione, i suscettori epitassiali sono sottoposti all'ambiente di deposizione perfetto per la crescita epitassiale. Il sottile rivestimento in cristalli SiC sul supporto garantisce una superficie liscia e un'elevata resistenza alla pulizia chimica, mentre il materiale è progettato per prevenire crepe e delaminazione.
Contattaci oggi per saperne di più sulla nostra piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale.


Parametri della piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche della piastra portante RTP rivestita in SiC per la crescita epitassiale

Grafite rivestita in SiC ad elevata purezza
Resistenza al calore e uniformità termica superiori
Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia
Elevata resistenza alla pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.





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