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Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

La piastra portante RTP in grafite Semicorex SiC per MOCVD offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con una grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.

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Descrizione del prodotto

La nostra piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD per crescita epitassiale MOCVD è la soluzione perfetta per la gestione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Con una superficie liscia e un'elevata resistenza alla pulizia chimica, questo prodotto garantisce prestazioni affidabili in ambienti di deposizione difficili.
Il materiale della nostra piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD è progettato per prevenire crepe e delaminazione, mentre la resistenza al calore superiore e l'uniformità termica garantiscono prestazioni costanti per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
Contattaci oggi per saperne di più sulla nostra piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD.


Parametri della piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche della piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

Grafite rivestita in SiC ad elevata purezza
Resistenza al calore e uniformità termica superiori
Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia
Elevata resistenza alla pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.





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