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Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

La piastra portante RTP in grafite SiC Semicorex per MOCVD offre una resistenza al calore e un'uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione di wafer semiconduttori. Con una grafite rivestita di SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conducibilità termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.

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Descrizione del prodotto

La nostra piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD per la crescita epitassiale MOCVD è la soluzione perfetta per la gestione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Con una superficie liscia e un'elevata resistenza alla pulizia chimica, questo prodotto garantisce prestazioni affidabili in ambienti di deposizione difficili.
Il materiale della nostra piastra di supporto RTP in grafite SiC per MOCVD è progettato per prevenire crepe e delaminazione, mentre la resistenza al calore superiore e l'uniformità termica garantiscono prestazioni costanti per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
Contattaci oggi per saperne di più sulla nostra piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD.


Parametri della piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura di cristallo

FCC fase β

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

μm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Resistenza alla flessione

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curva 4pt, 1300℃)

430

Espansione termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche della piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

Grafite rivestita di SiC di elevata purezza
Resistenza al calore superiore e uniformità termica
Fine rivestimento in cristallo SiC per una superficie liscia
Elevata durabilità contro la pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo che non si verifichino crepe e delaminazioni.





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