Supporto per rivestimento SiC RTP/RTA

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier è progettato per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Con la sua elevata resistenza al calore e alla corrosione, questo prodotto è progettato per fornire prestazioni ottimali per la crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.

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Descrizione del prodotto

Il nostro trasportatore di rivestimento SiC RTP/RTA per la crescita epitassiale MOCVD è la soluzione perfetta per la manipolazione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Con una superficie liscia e un'elevata resistenza alla pulizia chimica, questo prodotto offre prestazioni affidabili in ambienti di deposizione difficili.
Il materiale del nostro supporto di rivestimento SiC RTP/RTA è progettato per prevenire crepe e delaminazione, mentre la resistenza al calore superiore e l'uniformità termica garantiscono prestazioni costanti per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
Contattateci oggi per saperne di più sul nostro vettore di rivestimento SiC RTP/RTA

Parametri del vettore di rivestimento SiC RTP/RTA

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del vettore di rivestimento SiC RTP/RTA

Grafite rivestita di SiC di elevata purezza
Resistenza al calore superiore e uniformità termica
Fine rivestimento in cristallo SiC per una superficie liscia
Elevata durabilità contro la pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo che non si verifichino crepe e delaminazioni.