Supporto per rivestimento SiC RTP/RTA

Il supporto di rivestimento SiC Semicorex RTP/RTA è progettato per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Grazie alla sua elevata resistenza al calore e alla corrosione, questo prodotto è progettato per fornire prestazioni ottimali per la crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.

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Descrizione del prodotto

Il nostro supporto di rivestimento SiC RTP/RTA per la crescita epitassiale MOCVD è la soluzione perfetta per la gestione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Con una superficie liscia e un'elevata resistenza alla pulizia chimica, questo prodotto offre prestazioni affidabili in ambienti di deposizione difficili.
Il materiale del nostro supporto di rivestimento SiC RTP/RTA è progettato per prevenire crepe e delaminazione, mentre la resistenza al calore superiore e l'uniformità termica garantiscono prestazioni costanti per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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Parametri del supporto di rivestimento SiC RTP/RTA

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del supporto di rivestimento SiC RTP/RTA

Grafite rivestita in SiC ad elevata purezza
Resistenza al calore e uniformità termica superiori
Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia
Elevata resistenza alla pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.