Sostenitore del piedistallo con rivestimento TaC

Va inoltre sottolineata l'importanza del supporto del piedistallo nel controllo del flusso di gas. Un aspetto chiave nel processo di deposizione epitassiale è garantire l'uniformità del flusso dei gas di processo sull'intera superficie del wafer per ottenere una crescita coerente dello strato. Il supporto del piedistallo per rivestimento TaC è realizzato con precisione per controllare i canali e le geometrie del flusso del gas, il che aiuterà a dirigere i gas di processo in modo fluido e uniforme nella zona di reazione. Controllando il flusso laminare, la turbolenza viene ridotta al minimo, le zone morte vengono eliminate e si crea un ambiente di gas più stabile. Tutto ciò contribuisce ad una superiore uniformità dello spessore del film e ad una migliore qualità epitassiale.

Il carburo di tantalio è uno dei materiali più refrattari e chimicamente inerti disponibili, con un punto di fusione superiore a 3800 °C e grande resistenza alla corrosione e all'erosione. Quando CVD viene impiegato per produrreRivestimenti TaC, il risultato finale è un rivestimento liscio e denso che protegge il substrato di grafite dall'ossidazione ad alta temperatura, dalla corrosione dell'ammoniaca e dalla reazione dei precursori metallo-organici. Sotto una prolungata esposizione a gas corrosivi o cicli termici estremi associati ai processi epitassiali, il supporto del piedistallo resiste, mantenendo la stabilità strutturale e chimica.

Eseguendo molteplici funzioni critiche, il rivestimento CVD TaC agisce come una barriera protettiva, impedendo a qualsiasi potenziale contaminazione di carbonio proveniente dal rivestimento e dal substrato di grafite di entrare nell'ambiente del reattore o di influenzare il wafer. In secondo luogo, fornisce inerzia chimica, mantenendo una superficie pulita e stabile sia in atmosfere ossidanti che riducenti. Ciò impedisce reazioni indesiderate tra i gas di processo e l'hardware del reattore, garantendo che la chimica della fase gassosa rimanga controllata e che l'uniformità del film sia preservata.

Va inoltre sottolineata l'importanza del supporto del piedistallo nel controllo del flusso di gas. Un aspetto chiave nel processo di deposizione epitassiale è garantire l'uniformità del flusso dei gas di processo sull'intera superficie del wafer per ottenere una crescita coerente dello strato. Il supporto del piedistallo per rivestimento TaC è realizzato con precisione per controllare i canali e le geometrie del flusso del gas, il che aiuterà a dirigere i gas di processo in modo fluido e uniforme nella zona di reazione. Controllando il flusso laminare, la turbolenza viene ridotta al minimo, le zone morte vengono eliminate e si crea un ambiente di gas più stabile. Tutto ciò contribuisce ad una superiore uniformità dello spessore del film e ad una migliore qualità epitassiale.

ILRivestimento TaCfornisce elevata conduttività ed emissività termica, che consente inoltre al supporto del piedistallo di condurre e irradiare il calore in modo efficiente. Ciò porterà anche a una migliore uniformità complessiva della temperatura sul suscettore e sul wafer con gradienti di temperatura più bassi che producono meno variazioni nella crescita dei cristalli. Inoltre, TaC offre un'eccezionale resistenza all'ossidazione, che garantirà che l'emissività rimanga costante durante le operazioni a lungo termine, garantendo una calibrazione accurata della temperatura e prestazioni di processo ripetibili.

Il supporto del piedistallo con rivestimento TaC ha un'elevata resistenza meccanica, garantendo una vita operativa prolungata. Il processo di rivestimento CVD, in particolare, crea un solido legame molecolare tra lo strato di TaC e il substrato di grafite per prevenire delaminazione, screpolature o desquamazione dovute allo stress termico. È quindi un componente che beneficia di centinaia di cicli ad alta temperatura senza degradazione.