Puoi essere certo di acquistare il supporto per incisione ICP dalla nostra fabbrica e ti offriremo il miglior servizio post-vendita e consegne puntuali. Il suscettore del wafer Semicorex è realizzato in grafite rivestita in carburo di silicio utilizzando il processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD). Questo materiale possiede proprietà uniche, tra cui resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura, elevata conduttività termica ed elevata resistenza e rigidità. Queste proprietà lo rendono un materiale interessante per varie applicazioni ad alta temperatura, compresi i sistemi di incisione al plasma accoppiato induttivamente (ICP).
Forniamo servizi personalizzati, vi aiutiamo a innovare con componenti che durano più a lungo, riducono i tempi di ciclo e migliorano i rendimenti.
Il supporto per wafer di Semicorex per il processo di incisione ICP è la scelta perfetta per la gestione impegnativa dei wafer e i processi di deposizione di film sottile. Il nostro prodotto vanta una resistenza superiore al calore e alla corrosione, un'uniformità termica uniforme e schemi di flusso di gas laminare ottimali per risultati coerenti e affidabili.
Per saperne di piùInvia richiestaLa grafite rivestita in carbonio siliconico ICP di Semicorex è la scelta ideale per i processi impegnativi di gestione dei wafer e di deposizione di film sottile. Il nostro prodotto vanta una resistenza superiore al calore e alla corrosione, un'uniformità termica uniforme e schemi di flusso di gas laminare ottimali.
Per saperne di piùInvia richiestaScegli il sistema di incisione al plasma ICP di Semicorex per il processo PSS per processi epitassia e MOCVD di alta qualità. Il nostro prodotto è progettato specificatamente per questi processi e offre una resistenza superiore al calore e alla corrosione. Con una superficie pulita e liscia, il nostro supporto è perfetto per la movimentazione di wafer incontaminati.
Per saperne di piùInvia richiestaLa piastra di incisione al plasma ICP di Semicorex fornisce una resistenza superiore al calore e alla corrosione per la manipolazione dei wafer e i processi di deposizione di film sottili. Il nostro prodotto è progettato per resistere alle alte temperature e alla pulizia chimica aggressiva, garantendo durata e longevità. Con una superficie pulita e liscia, il nostro supporto è perfetto per la movimentazione di wafer incontaminati.
Per saperne di piùInvia richiestaCerchi un supporto wafer affidabile per i processi di incisione? Non cercare oltre il supporto per incisione ICP in carburo di silicio di Semicorex. Il nostro prodotto è progettato per resistere alle alte temperature e alla pulizia chimica aggressiva, garantendo durata e longevità. Con una superficie pulita e liscia, il nostro supporto è perfetto per la movimentazione di wafer incontaminati.
Per saperne di piùInvia richiestaLa piastra SiC di Semicorex per il processo di incisione ICP è la soluzione perfetta per requisiti di lavorazione chimica aggressiva e ad alta temperatura nella deposizione di film sottile e nella gestione dei wafer. Il nostro prodotto vanta una resistenza al calore superiore e un'uniformità termica uniforme, garantendo spessore e resistenza costanti dello strato epi. Con una superficie pulita e liscia, il nostro rivestimento in cristallo SiC ad elevata purezza offre una gestione ottimale dei wafer incontaminati.
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