Puoi essere certo di acquistare il supporto per incisione ICP dalla nostra fabbrica e ti offriremo il miglior servizio post-vendita e consegne puntuali. Il suscettore del wafer Semicorex è realizzato in grafite rivestita in carburo di silicio utilizzando il processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD). Questo materiale possiede proprietà uniche, tra cui resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura, elevata conduttività termica ed elevata resistenza e rigidità. Queste proprietà lo rendono un materiale interessante per varie applicazioni ad alta temperatura, compresi i sistemi di incisione al plasma accoppiato induttivamente (ICP).
Forniamo servizi personalizzati, vi aiutiamo a innovare con componenti che durano più a lungo, riducono i tempi di ciclo e migliorano i rendimenti.
Quando si tratta di processi di gestione dei wafer come epitassia e MOCVD, il rivestimento SiC ad alta temperatura di Semicorex per camere di incisione al plasma è la scelta migliore. I nostri supporti garantiscono una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme e una resistenza chimica duratura grazie al nostro sottile rivestimento in cristalli SiC.
Per saperne di piùInvia richiestaIl vassoio per incisione al plasma ICP di Semicorex è progettato specificamente per processi di gestione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con una resistenza all'ossidazione stabile e alle alte temperature fino a 1600°C, i nostri carrier forniscono profili termici uniformi, schemi di flusso di gas laminare e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.
Per saperne di piùInvia richiestaIl supporto rivestito in SiC di Semicorex per il sistema di incisione al plasma ICP è una soluzione affidabile ed economica per processi di gestione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. I nostri supporti sono dotati di un sottile rivestimento in cristalli SiC che fornisce resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme e resistenza chimica duratura.
Per saperne di piùInvia richiestaIl suscettore rivestito in carburo di silicio di Semicorex per plasma accoppiato induttivamente (ICP) è progettato specificamente per processi di gestione di wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con una resistenza all'ossidazione stabile e alle alte temperature fino a 1600°C, i nostri supporti garantiscono profili termici uniformi, schemi di flusso di gas laminare e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.
Per saperne di piùInvia richiestaIl supporto per wafer di incisione ICP di Semicorex è la soluzione perfetta per i processi di gestione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con una resistenza all'ossidazione stabile e alle alte temperature fino a 1600°C, i nostri supporti garantiscono profili termici uniformi, schemi di flusso di gas laminare e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.
Per saperne di piùInvia richiestaLa piastra portante per incisione ICP di Semicorex è la soluzione perfetta per i processi più impegnativi di gestione dei wafer e di deposizione di film sottile. Il nostro prodotto offre resistenza superiore al calore e alla corrosione, uniformità termica e modelli di flusso di gas laminare. Con una superficie pulita e liscia, il nostro supporto è perfetto per la movimentazione di wafer incontaminati.
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