Sistema di incisione al plasma ICP

Ottieni i processi di epitassia e MOCVD della massima qualità con il supporto rivestito in SiC di Semicorex per il sistema di incisione al plasma ICP. Il nostro prodotto è progettato specificamente per questi processi, offrendo una resistenza superiore al calore e alla corrosione. Il nostro fine rivestimento in cristallo SiC fornisce una superficie pulita e liscia, consentendo una manipolazione ottimale dei wafer.
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Parametri del supporto rivestito in SiC per il sistema di incisione al plasma ICP

Caratteristiche del supporto rivestito in SiC per il sistema di incisione al plasma ICP

- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie

Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C

Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.

Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.

Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare

- Garantire l'uniformità del profilo termico

- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità