Sistema di incisione al plasma ICP

Il supporto rivestito in SiC di Semicorex per il sistema di incisione al plasma ICP è una soluzione affidabile ed economica per processi di gestione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. I nostri supporti sono dotati di un sottile rivestimento in cristalli SiC che fornisce resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme e resistenza chimica duratura.

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Descrizione del prodotto

Ottieni processi di epitassia e MOCVD della massima qualità con il supporto rivestito in SiC di Semicorex per il sistema di incisione al plasma ICP. Il nostro prodotto è progettato specificatamente per questi processi e offre una resistenza superiore al calore e alla corrosione. Il nostro sottile rivestimento in cristallo SiC fornisce una superficie pulita e liscia, consentendo una gestione ottimale dei wafer.
Contattaci oggi per saperne di più sul nostro supporto rivestito in SiC per il sistema di incisione al plasma ICP.

Parametri del supporto rivestito in SiC per il sistema di incisione al plasma ICP

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300