Casa > Prodotti > Rivestito in carburo di silicio > Supporto per incisione ICP > Rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma
Rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma

Rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma

Quando si tratta di processi di gestione dei wafer come epitassia e MOCVD, il rivestimento SiC ad alta temperatura di Semicorex per camere di incisione al plasma è la scelta migliore. I nostri supporti garantiscono una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme e una resistenza chimica duratura grazie al nostro sottile rivestimento in cristalli SiC.

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Noi di Semicorex comprendiamo l'importanza delle attrezzature per la movimentazione dei wafer di alta qualità. Ecco perché il nostro rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma è progettato specificatamente per ambienti ad alta temperatura e di pulizia chimica aggressiva. I nostri trasportatori forniscono profili termici uniformi, schemi di flusso di gas laminare e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.
Contattaci oggi per saperne di più sul nostro rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma.


Parametri del rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche del rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma

- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie

Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C

Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.

Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.

Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare

- Garantire l'uniformità del profilo termico

- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità





Tag caldi: Rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di attacco al plasma, Cina, produttori, fornitori, fabbrica, personalizzato, sfuso, avanzato, durevole
Categoria correlata
Invia richiesta
Non esitate a dare la vostra richiesta nel modulo sottostante. Ti risponderemo entro 24 ore.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept