Porta wafer per incisione ICP

Porta wafer per incisione ICP

Il supporto per wafer di incisione ICP di Semicorex è la soluzione perfetta per i processi di gestione dei wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con una resistenza all'ossidazione stabile e alle alte temperature fino a 1600°C, i nostri supporti garantiscono profili termici uniformi, schemi di flusso di gas laminare e prevengono la contaminazione o la diffusione di impurità.

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Descrizione del prodotto

Cerchi un fornitore affidabile di supporti wafer per le tue apparecchiature di epitassia? Non cercare oltre Semicorex. Il nostro supporto per wafer per incisione ICP è progettato specificamente per ambienti di pulizia chimica aggressivi e ad alta temperatura. Con un sottile rivestimento in cristalli SiC, i nostri supporti forniscono una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme e una resistenza chimica duratura.
Il nostro supporto per wafer di incisione ICP è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer.
Contattaci oggi per saperne di più sul nostro supporto per wafer con incisione ICP.


Parametri del supporto per wafer di incisione ICP

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche del supporto per wafer con incisione ICP

- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie

Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C

Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.

Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.

Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare

- Garantire l'uniformità del profilo termico

- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità





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