Vassoio per incisione al plasma ICP

Il nostro vassoio per incisione al plasma ICP è rivestito in carburo di silicio utilizzando il metodo CVD, che è la soluzione ideale per i processi di manipolazione dei wafer che richiedono una pulizia chimica aggressiva e ad alta temperatura. I supporti di Semicorex sono caratterizzati da un fine rivestimento di cristalli SiC che fornisce profili termici uniformi, modelli di flusso di gas laminare e previene la contaminazione o la diffusione di impurità.
In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro vassoio per incisione al plasma ICP ha un prezzo vantaggioso ed è esportato in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.
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Parametri del vassoio per incisione al plasma ICP

Caratteristiche del vassoio per incisione al plasma ICP

- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie

Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C

Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.

Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.

Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare

- Garantire l'uniformità del profilo termico

- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità