Piastra disco stellare di copertura MOCVD per epitassia wafer

Semicorex è un rinomato produttore e fornitore di piastre a disco stellare con copertura MOCVD di alta qualità per epitassia wafer. Il nostro prodotto è appositamente progettato per soddisfare le esigenze dell'industria dei semiconduttori, in particolare per quanto riguarda la crescita dello strato epitassiale sul chip wafer. Il nostro suscettore viene utilizzato come piastra centrale in MOCVD, con un design a forma di ingranaggio o anello. Il prodotto è altamente resistente al calore elevato e alla corrosione, rendendolo ideale per l'uso in ambienti estremi.

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Descrizione del prodotto

La nostra piastra MOCVD Cover Star Disc per Wafer Epitaxy è un prodotto eccellente che garantisce il rivestimento su tutta la superficie, evitando così il distacco. Ha una resistenza all'ossidazione ad alta temperatura che garantisce stabilità anche a temperature elevate fino a 1600°C. Il prodotto è realizzato con elevata purezza mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura. Ha una superficie densa con particelle fini, che lo rende altamente resistente alla corrosione da acidi, alcali, sale e reagenti organici.
La nostra piastra a disco stellare di copertura MOCVD per epitassia wafer garantisce il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Previene qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer. Il nostro prodotto ha un prezzo competitivo, rendendolo accessibile a molti clienti. Copriamo molti mercati europei e americani e il nostro team è dedicato a fornire un eccellente servizio e supporto ai clienti. Ci impegniamo a diventare il vostro partner a lungo termine nella fornitura di piastre per dischi stellari con copertura MOCVD affidabili e di alta qualità per l'epitassia dei wafer.

Parametri della piastra disco stellare di copertura MOCVD per l'epitassia del wafer

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche della piastra a disco stellare di copertura MOCVD per l'epitassia del wafer

- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità

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