Suscettore MOCVD rivestito in SiC

Semicorex è un produttore e fornitore leader di suscettori MOCVD rivestiti in SiC. Il nostro prodotto è appositamente progettato per le industrie dei semiconduttori per far crescere lo strato epitassiale sul chip wafer. Il supporto in grafite rivestita in carburo di silicio ad elevata purezza viene utilizzato come piastra centrale nel MOCVD, con un design a forma di ingranaggio o anello. Il nostro suscettore è ampiamente utilizzato nelle apparecchiature MOCVD, garantendo elevata resistenza al calore e alla corrosione e grande stabilità in ambienti estremi.

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Descrizione del prodotto

Una delle caratteristiche più significative del nostro suscettore MOCVD rivestito in SiC è che garantisce il rivestimento su tutta la superficie, evitando il distacco. Il prodotto ha resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, che è stabile a temperature elevate fino a 1600°C. L'elevata purezza si ottiene utilizzando la deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura. Il prodotto ha una superficie densa con particelle fini, che lo rende altamente resistente alla corrosione da acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Il nostro suscettore MOCVD rivestito in SiC garantisce il miglior modello di flusso di gas laminare, che garantisce l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer. Semicorex offre un vantaggio di prezzo competitivo e copre molti mercati europei e americani. Il nostro team è dedicato a fornire un eccellente servizio clienti e supporto. Ci impegniamo a diventare il vostro partner a lungo termine, fornendo prodotti affidabili e di alta qualità per aiutare la vostra azienda a crescere.

Parametri del suscettore MOCVD rivestito in SiC

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore MOCVD rivestito in SiC

- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità