Suscettore MOCVD rivestito in SiC

Semicorex è un produttore e fornitore leader di suscettori MOCVD rivestiti in SiC. Il nostro prodotto è appositamente progettato per le industrie dei semiconduttori per far crescere lo strato epitassiale sul chip wafer. Il supporto in grafite rivestito di carburo di silicio ad elevata purezza viene utilizzato come piastra centrale in MOCVD, con un design a forma di ingranaggio o anello. Il nostro suscettore è ampiamente utilizzato nelle apparecchiature MOCVD, garantendo un'elevata resistenza al calore e alla corrosione e una grande stabilità in ambienti estremi.

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Descrizione del prodotto

Una delle caratteristiche più significative del nostro suscettore MOCVD rivestito in SiC è che garantisce il rivestimento su tutta la superficie, evitando il distacco. Il prodotto ha una resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, che è stabile ad alte temperature fino a 1600°C. L'elevata purezza si ottiene utilizzando la deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura. Il prodotto ha una superficie densa con particelle fini, che lo rendono altamente resistente alla corrosione da acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Il nostro suscettore MOCVD rivestito in SiC assicura il miglior modello di flusso di gas laminare, che garantisce l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer. Semicorex offre un vantaggio di prezzo competitivo e copre molti dei mercati europei e americani. Il nostro team è dedicato a fornire un eccellente servizio clienti e supporto. Ci impegniamo a diventare il vostro partner a lungo termine, fornendo prodotti affidabili e di alta qualità per aiutare la vostra azienda a crescere.

Parametri del suscettore MOCVD rivestito di SiC

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore MOCVD rivestito in SiC

- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità