Segmento interno SiC MOCVD

Il segmento interno Semicorex SiC MOCVD è progettato per prestazioni e affidabilità, fornendo un componente fondamentale per l'impegnativo processo di epitassia SiC. Sfruttando materiali di elevata purezza e tecniche di produzione avanzate, il segmento interno SiC MOCVD consente la crescita di epistrati SiC di alta qualità essenziali per l'elettronica di potenza di prossima generazione e altre applicazioni avanzate di semiconduttori:

Vantaggi materiali:

Il segmento interno SiC MOCVD è costruito utilizzando una combinazione di materiali robusta e ad alte prestazioni:

Substrato di grafite ad altissima purezza (contenuto di ceneri < 5 ppm):Il substrato in grafite fornisce una solida base per il segmento di copertura. Il suo contenuto di ceneri eccezionalmente basso riduce al minimo i rischi di contaminazione, garantendo la purezza degli epistrati SiC durante il processo di crescita.

Rivestimento SiC CVD ad elevata purezza (purezza ≥ 99,99995%):Viene utilizzato un processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD) per applicare un rivestimento SiC uniforme e di elevata purezza sul substrato di grafite. Questo strato SiC fornisce una resistenza superiore ai precursori reattivi utilizzati nell'epitassia SiC, prevenendo reazioni indesiderate e garantendo stabilità a lungo termine.

Alcuni Altre parti CVD SiC MOCVD Forniture Semicorex  

Vantaggi prestazionali negli ambienti MOCVD:

Eccezionale stabilità alle alte temperature:La combinazione di grafite ad elevata purezza e SiC CVD fornisce stabilità eccezionale alle temperature elevate richieste per l'epitassia del SiC (tipicamente superiori a 1500°C). Ciò garantisce prestazioni costanti e previene deformazioni o deformazioni in caso di uso prolungato.

Resistenza ai precursori aggressivi:Il segmento interno SiC MOCVD mostra un'eccellente resistenza chimica ai precursori aggressivi, come il silano (SiH4) e il trimetilalluminio (TMAl), comunemente impiegati nei processi SiC MOCVD. Ciò previene la corrosione e garantisce l'integrità a lungo termine del segmento di copertura.

Bassa generazione di particelle:La superficie liscia e non porosa del segmento interno SiC MOCVD riduce al minimo la generazione di particelle durante il processo MOCVD. Ciò è fondamentale per mantenere un ambiente di processo pulito e ottenere epistrati SiC di alta qualità esenti da difetti.

Uniformità del wafer migliorata:Le proprietà termiche uniformi del segmento interno SiC MOCVD, combinate con la sua resistenza alla deformazione, contribuiscono a migliorare l'uniformità della temperatura attraverso il wafer durante l'epitassia. Ciò porta ad una crescita più omogenea e ad una migliore uniformità degli epistrati SiC.

Vita utile estesa:Le robuste proprietà del materiale e la resistenza superiore alle condizioni di processo difficili si traducono in una durata di servizio prolungata per il segmento interno Semicorex SiC MOCVD. Ciò riduce la frequenza delle sostituzioni, minimizzando i tempi di inattività e abbassando i costi operativi complessivi.