Wafer di cristallo singolo aln

Il wafer a cristallo singolo Semicorex Aln è un progresso rivoluzionario nella tecnologia dei semiconduttori, che offre una combinazione unica di proprietà elettriche, termiche e meccaniche eccezionali. Come materiale a semiconduttore a banda ultra largo con un gap di banda di 6,2 eV, ALN è sempre più riconosciuto come substrato ottimale per dispositivi optoelettronici ad alta potenza, ad alta frequenza e profondi ultravioletti (UV). Queste proprietà si posizionano aln come un'alternativa superiore ai substrati tradizionali come zaffiro, carburo di silicio (SIC) e nitruro di gallio (GAN), in particolare nelle applicazioni che richiedono una stabilità termica estrema, un'elevata tensione di rottura e una supervisione termica superiore.

Al momento, il wafer di cristallo singolo ALN è disponibile in commercio in dimensioni fino a 2 pollici di diametro. Man mano che continuano gli sforzi di ricerca e sviluppo, si prevede che i progressi delle tecnologie di crescita dei cristalli consentiranno di dimensioni di wafer maggiori, migliorando la scalabilità della produzione e riducendo i costi per le applicazioni industriali.

Simile alla crescita del singolo cristallo SIC, i singoli cristalli non possono essere coltivati ​​con il metodo di fusione ma possono essere coltivati ​​solo dal trasporto di vapore fisico (PVT).

Esistono tre importanti strategie di crescita per la crescita di Aln Single Crystal Pvt:

1) crescita della nucleazione spontanea

2) Crescita eteroepitassiale sul substrato 4H-/6H-SIC

3) Crescita omoepitassiale

Il wafer a cristallo singolo Aln si distingue per il loro gap di banda ultra largo di 6,2 eV, che garantisce un eccezionale isolamento elettrico e prestazioni UV profonde senza pari. Questi wafer vantano un campo elettrico ad alta rottura che supera quello di SIC e GAN, posizionandoli come la scelta ottimale per i dispositivi elettronici ad alta potenza. Con un'impressionante conduttività termica di circa 320 W/MK, garantiscono un'efficace dissipazione del calore, un requisito critico per applicazioni ad alta potenza. ALN non è solo stabile chimicamente e termicamente, ma mantiene anche le migliori prestazioni in ambienti estremi. La sua resistenza alle radiazioni superiori lo rende un'opzione senza rivali per le applicazioni di spazio e nucleari. Inoltre, le sue straordinarie proprietà piezoelettriche, alta velocità di sega e forte accoppiamento elettromeccanico lo stabiliscono come candidato eccezionale per dispositivi, filtri e sensori di sega a livello GHZ.

ALN Wafer a cristallo singolo trova ampie applicazioni in vari dispositivi elettronici e optoelettronici ad alte prestazioni. Servono come substrato ideale per l'optoelettronica Ultraviolet Deep Ultraviolet (DUV), compresi i LED UV profondi che operano nell'intervallo di 200-280 nm per sterilizzazione, purificazione dell'acqua e applicazioni biomediche, nonché diodi laser UV (LD) utilizzati nei campi industriali e medici avanzati. ALN è anche ampiamente utilizzato nei dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza, in particolare nei componenti a radiofrequenza (RF) e a microonde, in cui la sua alta tensione di rottura e la bassa scattering di elettroni garantiscono prestazioni superiori negli amplificatori di potenza e nei sistemi di comunicazione. Inoltre, svolge un ruolo cruciale nell'elettronica di potenza, migliorando l'efficienza di inverter e convertitori nei veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e applicazioni aerospaziali. Inoltre, le eccellenti proprietà piezoelettriche di ALN e l'elevata velocità della sega lo rendono un materiale ottimale per i dispositivi di onda acustica di superficie (SAW) e Waw bulk Acoustic Wave (BAW), che sono essenziali per le telecomunicazioni, l'elaborazione del segnale e le tecnologie di rilevamento. Grazie alla sua eccezionale conducibilità termica, ALN è anche un materiale chiave nelle soluzioni di gestione termica per LED ad alta potenza, diodi laser e moduli elettronici, fornendo un'efficace dissipazione del calore e miglioramento della longevità del dispositivo.

Il wafer a cristallo singolo Semicorex Aln rappresenta il futuro dei substrati a semiconduttore, offrendo proprietà elettriche, termiche e piezoelettriche senza pari. Le loro applicazioni in profonde optoelettroniche UV, elettronica di potenza e dispositivi di onda acustica li rendono un materiale molto ricercato per la tecnologia di prossima generazione. Man mano che le capacità di fabbricazione continuano a migliorare, Aln Wafer diventerà una componente indispensabile di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni, aprendo la strada a progressi innovativi in ​​più settori.