Il wafer a cristallo singolo Semicorex ALN è un substrato a semiconduttore all'avanguardia progettato per applicazioni ad alta potenza, ad alta frequenza e profonda ultravioletta (UV). Scegliere Semicorex garantisce l'accesso alla tecnologia di crescita dei cristalli leader del settore, ai materiali di alta purezza e alla fabbricazione precisa del wafer, garantendo prestazioni e affidabilità superiori per applicazioni esigenti.
Il wafer a cristallo singolo Semicorex Aln è un progresso rivoluzionario nella tecnologia dei semiconduttori, che offre una combinazione unica di proprietà elettriche, termiche e meccaniche eccezionali. Come materiale a semiconduttore a banda ultra largo con un gap di banda di 6,2 eV, ALN è sempre più riconosciuto come substrato ottimale per dispositivi optoelettronici ad alta potenza, ad alta frequenza e profondi ultravioletti (UV). Queste proprietà si posizionano aln come un'alternativa superiore ai substrati tradizionali come zaffiro, carburo di silicio (SIC) e nitruro di gallio (GAN), in particolare nelle applicazioni che richiedono una stabilità termica estrema, un'elevata tensione di rottura e una supervisione termica superiore.
Al momento, il wafer di cristallo singolo ALN è disponibile in commercio in dimensioni fino a 2 pollici di diametro. Man mano che continuano gli sforzi di ricerca e sviluppo, si prevede che i progressi delle tecnologie di crescita dei cristalli consentiranno di dimensioni di wafer maggiori, migliorando la scalabilità della produzione e riducendo i costi per le applicazioni industriali.
Simile alla crescita del singolo cristallo SIC, i singoli cristalli non possono essere coltivati con il metodo di fusione ma possono essere coltivati solo dal trasporto di vapore fisico (PVT).
Esistono tre importanti strategie di crescita per la crescita di Aln Single Crystal Pvt:
1) crescita della nucleazione spontanea
2) Crescita eteroepitassiale sul substrato 4H-/6H-SIC
3) Crescita omoepitassiale
Il wafer a cristallo singolo Aln si distingue per il loro gap di banda ultra largo di 6,2 eV, che garantisce un eccezionale isolamento elettrico e prestazioni UV profonde senza pari. Questi wafer vantano un campo elettrico ad alta rottura che supera quello di SIC e GAN, posizionandoli come la scelta ottimale per i dispositivi elettronici ad alta potenza. Con un'impressionante conduttività termica di circa 320 W/MK, garantiscono un'efficace dissipazione del calore, un requisito critico per applicazioni ad alta potenza. ALN non è solo stabile chimicamente e termicamente, ma mantiene anche le migliori prestazioni in ambienti estremi. La sua resistenza alle radiazioni superiori lo rende un'opzione senza rivali per le applicazioni di spazio e nucleari. Inoltre, le sue straordinarie proprietà piezoelettriche, alta velocità di sega e forte accoppiamento elettromeccanico lo stabiliscono come candidato eccezionale per dispositivi, filtri e sensori di sega a livello GHZ.
ALN Wafer a cristallo singolo trova ampie applicazioni in vari dispositivi elettronici e optoelettronici ad alte prestazioni. Servono come substrato ideale per l'optoelettronica Ultraviolet Deep Ultraviolet (DUV), compresi i LED UV profondi che operano nell'intervallo di 200-280 nm per sterilizzazione, purificazione dell'acqua e applicazioni biomediche, nonché diodi laser UV (LD) utilizzati nei campi industriali e medici avanzati. ALN è anche ampiamente utilizzato nei dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza, in particolare nei componenti a radiofrequenza (RF) e a microonde, in cui la sua alta tensione di rottura e la bassa scattering di elettroni garantiscono prestazioni superiori negli amplificatori di potenza e nei sistemi di comunicazione. Inoltre, svolge un ruolo cruciale nell'elettronica di potenza, migliorando l'efficienza di inverter e convertitori nei veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e applicazioni aerospaziali. Inoltre, le eccellenti proprietà piezoelettriche di ALN e l'elevata velocità della sega lo rendono un materiale ottimale per i dispositivi di onda acustica di superficie (SAW) e Waw bulk Acoustic Wave (BAW), che sono essenziali per le telecomunicazioni, l'elaborazione del segnale e le tecnologie di rilevamento. Grazie alla sua eccezionale conducibilità termica, ALN è anche un materiale chiave nelle soluzioni di gestione termica per LED ad alta potenza, diodi laser e moduli elettronici, fornendo un'efficace dissipazione del calore e miglioramento della longevità del dispositivo.
Il wafer a cristallo singolo Semicorex Aln rappresenta il futuro dei substrati a semiconduttore, offrendo proprietà elettriche, termiche e piezoelettriche senza pari. Le loro applicazioni in profonde optoelettroniche UV, elettronica di potenza e dispositivi di onda acustica li rendono un materiale molto ricercato per la tecnologia di prossima generazione. Man mano che le capacità di fabbricazione continuano a migliorare, Aln Wafer diventerà una componente indispensabile di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni, aprendo la strada a progressi innovativi in più settori.