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Substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm

Substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm

Gli attributi unici del substrato wafer in nitruro di alluminio Semicorex da 30 mm lo rendono un substrato ideale per LED ultravioletti (UV), rilevatori UV, laser UV e la prossima generazione di dispositivi RF 5G ad alta potenza/alta frequenza. Nelle comunicazioni wireless, le proprietà del substrato del wafer in nitruro di alluminio da 30 mm facilitano lo sviluppo di dispositivi in ​​grado di gestire l’elevata potenza e le frequenze essenziali per le tecnologie 5G, migliorando la trasmissione e la ricezione del segnale. Inoltre, in campi come quello sanitario e militare, i dispositivi basati su AlN vengono impiegati nella fototerapia medica per il trattamento delle malattie della pelle, nella scoperta di farmaci attraverso terapie fotodinamiche e nelle tecnologie di comunicazione sicura nel settore aerospaziale, sottolineando la versatilità e il ruolo critico del substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm nei progressi tecnologici in tutto il mondo. settori diversi.

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Descrizione del prodotto

I substrati del substrato semicorex per wafer in nitruro di alluminio da 30 mm vantano notevoli proprietà essenziali per applicazioni avanzate di semiconduttori. L'ampio intervallo di banda consente ai dispositivi di funzionare a tensioni e temperature elevate riducendo al minimo le dispersioni elettriche, fondamentali per l'elettronica di potenza. L'elevata conduttività termica del substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm è fondamentale nella gestione del calore generato nei dispositivi ad alta potenza, migliorando efficacemente l'affidabilità e le prestazioni del dispositivo. Inoltre, l'elevato campo di rottura del substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm consente dispositivi in ​​grado di resistere a campi elettrici elevati senza guasti, ideali per applicazioni che richiedono elevata densità di potenza ed efficienza.


I substrati del substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm mostrano un'elevata mobilità degli elettroni, che si traduce in dispositivi elettronici più veloci con una migliore risposta in frequenza. Questa caratteristica è particolarmente vantaggiosa nella fabbricazione di dispositivi a radiofrequenza (RF) e di elettronica ad alta velocità, dove sono necessarie una trasmissione ed elaborazione rapida del segnale. Inoltre, la resistenza alla corrosione e alle radiazioni del substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm lo rende una scelta eccezionale per ambienti difficili, come le applicazioni spaziali, dove i materiali sono esposti a gas corrosivi e alti livelli di radiazioni. Questa resilienza garantisce affidabilità e funzionalità a lungo termine dei dispositivi in ​​condizioni estreme, rendendo il substrato wafer in nitruro di alluminio da 30 mm un substrato ottimale per dispositivi optoelettronici e componenti elettronici ad alta potenza/alta frequenza.


Attualmente offriamo ai nostri clienti prodotti standardizzati con substrato monocristallino in nitruro di alluminio di alta qualità con dimensioni di 10x10 mm, Φ10 mm, Φ15 mm, Φ20 mm, Φ25,4 mm, Φ30 mm e Φ50,8 mm. Inoltre, forniamo anche substrati monocristallini in nitruro di alluminio non polare con faccia M nella gamma 10-20 mm. Per esigenze su misura, possiamo personalizzare fette di lucidatura del substrato monocristallino di nitruro di alluminio che vanno da 5 mm a 50,8 mm. Questa vasta gamma di offerte soddisfa una vasta gamma di esigenze dei clienti e consente l’esplorazione di diverse frontiere tecnologiche.



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