Substrato Ga2O3

Ga2O3 si distingue come un semiconduttore ad ampio gap di banda, garantendo stabilità e resilienza in condizioni estreme, rendendolo ideale per ambienti ad alta temperatura e ad alta radiazione.

Con un'elevata intensità di campo di rottura e valori Baliga eccezionali, Ga2O3 eccelle nelle applicazioni ad alta tensione e alta potenza, offrendo affidabilità senza pari e basse perdite di potenza.

Ga2O3 supera i materiali tradizionali con le sue prestazioni energetiche superiori. I valori Baliga per Ga2O3 sono quattro volte quelli del GaN e dieci volte quelli del SiC, il che si traduce in eccellenti caratteristiche di conduzione ed efficienza energetica. I dispositivi Ga2O3 presentano perdite di potenza pari solo a 1/7 del SiC e ben 1/49 dei dispositivi basati su silicio.

La minore durezza del Ga2O3 rispetto al SiC semplifica il processo di produzione, con conseguente riduzione dei costi di lavorazione. Questo vantaggio posiziona Ga2O3 come un’alternativa economicamente vantaggiosa per varie applicazioni.

Coltivato utilizzando un metodo di fusione in fase liquida, Ga2O3 vanta una qualità cristallina superiore con una densità di difetti notevolmente bassa, superando le prestazioni del SiC, che viene coltivato utilizzando un metodo in fase vapore.

Ga2O3 mostra un tasso di crescita 100 volte più veloce del SiC, contribuendo a una maggiore efficienza produttiva e, di conseguenza, a ridurre i costi di produzione.

Applicazioni:

Dispositivi di potenza: il substrato Ga2O3 è pronto a rivoluzionare i dispositivi di potenza, offrendo quattro opportunità principali:

Dispositivi unipolari che sostituiscono i dispositivi bipolari: MOSFET che sostituiscono gli IGBT in applicazioni quali veicoli a nuova energia, stazioni di ricarica, alimentatori ad alta tensione, controllo di potenza industriale e altro ancora.

Maggiore efficienza energetica: i dispositivi di alimentazione con substrato Ga2O3 sono efficienti dal punto di vista energetico, allineandosi con le strategie per la neutralità del carbonio e la riduzione dei picchi di emissioni di carbonio.

Produzione su larga scala: con un'elaborazione semplificata e una fabbricazione di chip economicamente vantaggiosa, il substrato Ga2O3 facilita la produzione su larga scala.

Elevata affidabilità: il substrato Ga2O3 con proprietà del materiale stabili e struttura affidabile lo rendono adatto per applicazioni ad alta affidabilità, garantendo longevità e prestazioni costanti.

Dispositivi RF: il substrato Ga2O3 rappresenta un punto di svolta nel mercato dei dispositivi RF (radiofrequenza). I suoi vantaggi includono:

Qualità del cristallo: il substrato Ga2O3 consente una crescita epitassiale di alta qualità, superando i problemi di disadattamento reticolare associati ad altri substrati.

Crescita economicamente vantaggiosa: la crescita economicamente vantaggiosa di Ga2O3 su substrati di grandi dimensioni, in particolare su wafer da 6 pollici, lo rende un'opzione competitiva per le applicazioni RF.

Potenziale dei dispositivi RF GaN: il disadattamento minimo del reticolo con GaN posiziona Ga2O3 come substrato ideale per dispositivi RF GaN ad alte prestazioni.

Abbraccia il futuro della tecnologia dei semiconduttori con il substrato Ga2O3, dove proprietà rivoluzionarie incontrano possibilità illimitate. Rivoluziona le tue applicazioni di potenza e RF con un materiale progettato per l'eccellenza e l'efficienza.