Epitassia Ga2O3

Entra in una nuova era di eccellenza dei semiconduttori con Semicorex Ga2O3 Epitaxy, una soluzione innovativa che ridefinisce i confini di potenza ed efficienza. Progettato con precisione e innovazione, l'epitassia Ga2O3 offre una piattaforma per dispositivi di prossima generazione, promettendo prestazioni senza pari in varie applicazioni.

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

L'epitassia Ga2O3, derivata dal semiconduttore a banda larga di quarta generazione, introduce un nuovo livello di stabilità e affidabilità delle prestazioni in ambienti estremi. La sua natura ad ampio gap di banda lo posiziona come materiale di scelta per applicazioni ad alta temperatura e ad alta radiazione.

Intensità del campo di rottura elevata: beneficia dell'eccezionale intensità del campo di rottura di Ga2O3 e degli elevati valori Baliga, che lo rendono un materiale senza rivali per applicazioni ad alta tensione e alta potenza. L'epitassia Ga2O3 garantisce maggiore affidabilità e perdite di potenza minime.

L'epitassia Ga2O3 si distingue per la sua efficienza energetica superiore. Vantando valori Baliga quattro volte quelli del GaN e dieci volte quelli del SiC, presenta eccellenti caratteristiche di conduzione. I dispositivi epitassia Ga2O3 mostrano perdite di potenza solo pari a 1/7 del SiC e ben 1/49 dei dispositivi basati sul silicio.

La minore durezza dell'epitassia Ga2O3 semplifica il processo di fabbricazione, con conseguente riduzione dei costi di lavorazione. Questo vantaggio posiziona l’epitassia Ga2O3 come una soluzione economica e scalabile per una vasta gamma di applicazioni.