Suscettore cilindrico rivestito in SiC per crescita epitassiale LPE

Il nostro suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale LPE è un prodotto affidabile e di alta qualità che offre un eccellente rapporto qualità-prezzo. La sua resistenza all'ossidazione alle alte temperature, il profilo termico uniforme e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita di strati epitassiali di alta qualità sui chip wafer. Le sue basse esigenze di manutenzione e la possibilità di personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Parametri del suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale LPE

Caratteristiche del suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale LPE

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.