Suscettore del barilotto rivestito di SiC per la crescita epitassiale di LPE

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for LPE Epitaaxial Growth è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione ne fanno una scelta ideale per la crescita di strati epitassiali di alta qualità su chip di wafer. La sua personalizzazione ed economicità ne fanno un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Descrizione del prodotto

Il nostro suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale di LPE è un prodotto affidabile e di alta qualità che offre un eccellente rapporto qualità-prezzo. La sua resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, anche il profilo termico e la prevenzione della contaminazione lo rendono una scelta ideale per la crescita di strati epitassiali di alta qualità su chip di wafer. I suoi bassi requisiti di manutenzione e la personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Parametri del suscettore del barilotto rivestito di SiC per la crescita epitassiale di LPE

Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore del barilotto rivestito di SiC per la crescita epitassiale di LPE

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.

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