Il susceptor del cilindro del reattore rivestito in carburo Semicorex è un prodotto in grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, progettato specificamente per i processi LPE. Grazie all'eccellente resistenza al calore e alla corrosione, questo prodotto è perfetto per l'uso in applicazioni di produzione di semiconduttori.
Se stai cercando un suscettore in grafite ad alte prestazioni per la formazione di strati epitassiali su wafer semiconduttori, il suscettore a barilotto reattore rivestito in carburo Semicorex è una scelta eccellente. Il rivestimento in carburo di silicio fornisce una distribuzione del calore e una conduttività termica superiori, garantendo prestazioni eccezionali anche negli ambienti ad alta temperatura più esigenti.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di suscettori per cilindri di reattori rivestiti in carburo di alta qualità ed economici, diamo priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni economicamente vantaggiose. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.
Parametri del suscettore del cilindro del reattore rivestito in carburo
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
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Struttura cristallina |
Fase β dell'FCC |
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Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
µm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Forza flessionale |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) |
430 |
Dilatazione Termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore del barilotto del reattore rivestito in carburo
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.
- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.
- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.