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Cilindro suscettore rivestito in SiC per camera del reattore LPE

Cilindro suscettore rivestito in SiC per camera del reattore LPE

Il Susceptor Barrel di Semicorex con rivestimento in SiC per la camera del reattore LPE è una soluzione altamente affidabile per i processi di produzione di semiconduttori, con proprietà di distribuzione del calore e conducibilità termica superiori. È anche altamente resistente alla corrosione, all'ossidazione e alle alte temperature.

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Descrizione del prodotto

Il barilotto del suscettore rivestito in SiC di Semicorex per la camera del reattore LPE è un prodotto di alta qualità, fabbricato secondo i più elevati standard di precisione e durata. Offre un'eccellente conduttività termica, resistenza alla corrosione ed è particolarmente adatto alle applicazioni LPE nella produzione di semiconduttori.

Il nostro suscettore con rivestimento in SiC per la camera del reattore LPE è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.

Contattateci oggi stesso per saperne di più sul nostro suscettore con rivestimento in SiC per la camera del reattore LPE.


Parametri del barilotto del suscettore rivestito di SiC per la camera del reattore LPE

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura di cristallo

FCC fase β

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

μm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Resistenza alla flessione

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curva 4pt, 1300℃)

430

Espansione termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche del barilotto del suscettore rivestito di SiC per la camera del reattore LPE

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.




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