Cilindro suscettore rivestito in SiC per camera del reattore epitassiale

Il cilindro suscettore rivestito in SiC di Semicorex per camera di reattore epitassiale è un prodotto di alta qualità, realizzato secondo i più alti standard di precisione e durata. Offre eccellente conduttività termica e resistenza alla corrosione ed è particolarmente adatto alla maggior parte dei reattori epitassiali nella produzione di semiconduttori.
Il nostro cilindro suscettore rivestito in SiC per camera del reattore epitassiale è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer.
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Parametri del cilindro del suscettore rivestito in SiC per la camera del reattore epitassiale

Caratteristiche del cilindro del suscettore rivestito in SiC per la camera del reattore epitassiale

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.