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Suscettore a barilotto rivestito in carburo di silicio SiC
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Suscettore a barilotto rivestito in carburo di silicio SiC

Semicorex è un produttore leader e indipendente di suscettore a cilindro rivestito in carburo di silicio SiC, grafite ad alta purezza lavorata con precisione, focalizzato sulle aree di produzione di semiconduttori di grafite rivestita di carburo di silicio, ceramica di carburo di silicio e MOCVP. Il nostro suscettore a barilotto rivestito in carburo di silicio SiC ha un buon vantaggio di prezzo e copre molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

SemicorexSuscettore a barilotto rivestito in carburo di silicio SiCè un prodotto in grafite rivestito con SiC altamente purificato, che presenta un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. È adatto per LPE. ILCarburo di silicioSuscettore cilindrico rivestito in SiC utilizzato nei processi che formano lo strato epissiale su wafer semiconduttori, che ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

Contattaci oggi per saperne di più sul nostroCarburo di silicioSuscettore cilindrico rivestito in SiC.


Parametri diRivestito in carburo di silicio SiCRicevitore a canna

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche diRivestito in carburo di silicio SiCRicevitore a canna

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.




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