Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di suscettore di grafite rivestito in carburo di silicio in Cina. Ci concentriamo sulle industrie dei semiconduttori come strati di carburo di silicio e semiconduttori epitassia. Il nostro suscettore Epi-Wafer SiC ha un buon vantaggio in termini di prezzo e copre molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine.
Semicorex fornisce suscettori Epi-Wafer SiC rivestiti da MOCVD utilizzati per supportare i wafer. La loro struttura in grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza offre una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato Epi e una resistenza chimica duratura. Il rivestimento in cristalli SiC fini fornisce una superficie pulita e liscia, fondamentale per la manipolazione poiché i wafer incontaminati entrano in contatto con il suscettore in molti punti dell'intera area.
Il nostro suscettore Epi-Wafer SiC è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer.
Contattaci oggi per saperne di più sul nostro suscettore Epi-Wafer SiC.
Parametri del suscettore Epi-Wafer SiC
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
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Struttura cristallina |
Fase β dell'FCC |
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Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
µm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Forza flessionale |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) |
430 |
Dilatazione Termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore Epi-Wafer SiC
Grafite rivestita in SiC ad elevata purezza
Resistenza al calore e uniformità termica superiori
Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia
Elevata resistenza alla pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.