Piastra del ricevitore

Semicorex Susceptor Plate è un componente cruciale nel processo di crescita epitassiale, progettato specificamente per trasportare wafer semiconduttori durante la deposizione di film o strati sottili. Nel contesto della deposizione chimica da fase vapore metallo-organica (MOCVD), queste piastre sono realizzate in particolare con materiali in grado di resistere alle alte temperature e fornire una superficie stabile per la crescita degli strati epitassiali.

La piastra del suscettore utilizzata in questo processo è realizzata in grafite rivestita con carburo di silicio (SiC) attraverso un processo MOCVD stesso. Il carburo di silicio offre eccezionale stabilità termica, resistenza meccanica e resistenza alle reazioni chimiche, rendendolo la scelta ideale per le difficili condizioni di crescita epitassiale.

Durante il MOCVD, la piastra del suscettore svolge un ruolo fondamentale trasferendo efficacemente il calore ai wafer semiconduttori. La piastra assorbe energia dall'ambiente circostante e la irradia verso i wafer, facilitando la deposizione controllata di film sottili sulle superfici dei wafer. Questo controllo preciso della temperatura è essenziale per ottenere strati epitassiali uniformi e di alta qualità, fondamentali nella produzione di dispositivi semiconduttori avanzati.

La piastra susceptor nei processi MOCVD, composta da grafite rivestita in SiC, funge da piattaforma affidabile per supportare wafer semiconduttori, garantendo un trasferimento di calore ottimale e contribuendo al successo della crescita epitassiale di film sottili con le caratteristiche desiderate per le applicazioni dei semiconduttori.