Soffione CVD-SiC

Il soffione Semicorex CVD-SiC offre durabilità, eccellente gestione termica e resistenza alla degradazione chimica, rendendolo una scelta adatta per i processi CVD esigenti nel settore dei semiconduttori. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Nel contesto di un soffione CVD, un soffione CVD-SiC è generalmente progettato per distribuire uniformemente i gas precursori sulla superficie del substrato durante il processo CVD. Il soffione viene solitamente posizionato sopra il substrato e i gas precursori fluiscono attraverso piccoli fori o ugelli presenti sulla sua superficie.

Il materiale CVD-SiC utilizzato nel soffione offre numerosi vantaggi. La sua elevata conduttività termica aiuta a dissipare il calore generato durante il processo CVD, garantendo una distribuzione uniforme della temperatura sul substrato. Inoltre, la stabilità chimica del SiC gli consente di resistere ai gas corrosivi e agli ambienti difficili comunemente incontrati nei processi CVD.

Il design di un soffione CVD-SiC può variare a seconda dello specifico sistema CVD e dei requisiti di processo. Tuttavia, in genere è costituito da una piastra o da un componente a forma di disco con una serie di fori o fessure praticati con precisione. La disposizione e la geometria dei fori sono progettate attentamente per garantire una distribuzione uniforme del gas e velocità di flusso sulla superficie del substrato.