Soffione doccia SiC

Il soffione doccia Semicorex SiC è un componente essenziale nel processo di crescita epitassiale, progettato specificamente per migliorare l'uniformità e l'efficienza della deposizione di film sottile sui wafer semiconduttori. Il soffione doccia SiC è realizzato in carburo di silicio (SiC) sfuso. Conosciuto per la sua eccezionale conduttività termica, resistenza meccanica e resistenza chimica, questo soffione doccia SiC garantisce prestazioni ottimali in ambienti corrosivi e ad alta temperatura tipici dei reattori epitassiali.

La forma del soffione doccia SiC è meticolosamente progettata per facilitare la distribuzione uniforme dei gas precursori sulla superficie del wafer. La sua serie di fori realizzati con precisione consente un flusso controllato e costante, fondamentale per ottenere strati epitassiali di alta qualità con spessore e composizione uniformi. Questo design riduce al minimo le reazioni in fase gassosa e la generazione di particelle, contribuendo a rese superiori dei wafer e prestazioni del dispositivo.

Ideale per l'uso sia in contesti di ricerca che di produzione ad alto volume, il soffione doccia SiC si distingue per la sua durata e affidabilità, riducendo significativamente i tempi di fermo macchina e i costi operativi. La sua compatibilità con vari processi epitassiali, tra cui la deposizione chimica da fase vapore (CVD), lo rende una risorsa versatile e inestimabile nel settore della produzione di semiconduttori.