> Prodotti > Ceramica > Carburo di silicio (SiC) > Barca per wafer ceramici in carburo di silicio

Prodotti

Nuovi Prodotti

Barca per wafer ceramici in carburo di silicio

Semicorex fornisce imbarcazioni per wafer, piedistalli e supporti per wafer personalizzati sia per configurazioni verticali/a colonna che orizzontali. Da molti anni siamo produttori e fornitori di pellicole di rivestimento in carburo di silicio. La nostra barca per wafer ceramici in carburo di silicio ha un buon vantaggio in termini di prezzo e copre la maggior parte dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Barca per wafer ceramici in carburo di silicio Semicorex, la soluzione definitiva per la movimentazione e la protezione dei wafer nella produzione di semiconduttori.
Il nostro wafer ceramico in carburo di silicio è realizzato con materiale di alta qualità rivestito con uno strato di carburo di silicio (SiC) utilizzato con il metodo CVD, che ha una buona resistenza alla corrosione e un'eccellente resistenza alle alte temperature e agli shock termici. Le ceramiche avanzate offrono un'eccellente resistenza termica e durata del plasma, mitigando al contempo particelle e contaminanti per i supporti wafer ad alta capacità.

Parametri della barca per wafer ceramici in carburo di silicio

Proprietà tecniche
Indice	Unità	Valore
Nome del materiale		Reazione al carburo di silicio sinterizzato	Carburo di silicio sinterizzato senza pressione	Carburo di silicio ricristallizzato
Composizione		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densità apparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Resistenza alla flessione	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Resistenza alla compressione	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	>600
Durezza	Pulsante	2700	2800	/
Tenacia di rottura	MPa·m1/2	4.5	4	/
Conducibilità termica	W/m.k	95	120	23
Coefficiente di dilatazione termica	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Calore specifico	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Temperatura massima nell'aria	℃	1200	1500	1600
Modulo elastico	GP	360	410	240

La differenza tra SSiC e RBSiC:

1. Il processo di sinterizzazione è diverso. L'RBSiC consiste nell'infiltrare il Si libero nel carburo di silicio a bassa temperatura, l'SSiC si forma per ritiro naturale a 2100 gradi.

2. Gli SSiC hanno una superficie più liscia, una densità più elevata e una resistenza più elevata. Per alcune guarnizioni con requisiti superficiali più severi, l'SSiC sarà migliore.

3. Tempo di utilizzo diverso a PH e temperature diversi, SSiC è più lungo di RBSiC

Caratteristiche della barca per wafer ceramici in carburo di silicio

Resistenza al calore e uniformità termica superiori
Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia
Elevata resistenza alla pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.