Coperchio della camera in carburo di silicio

Il coperchio della camera in carburo di silicio utilizzato nella crescita di cristalli singoli o MOCVD o nella lavorazione di gestione dei wafer deve resistere a temperature elevate e pulizia chimica aggressiva. Semicorex fornisce una struttura in grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza che offre una resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme per spessore e resistenza costanti dello strato Epi e resistenza chimica duratura. Sono resistenti alla combinazione di gas precursori volatili, plasma e alta temperatura.
Il nostro coperchio della camera in carburo di silicio è progettato per ottenere il miglior modello di flusso laminare del gas, garantendo l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer.
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Parametri del coperchio della camera in carburo di silicio

Caratteristiche del coperchio della camera in carburo di silicio

● Funzionalità ultrapiatte

● Lucidatura a specchio

● Eccezionale leggerezza

● Elevata rigidità

● Bassa dilatazione termica

● Estrema resistenza all'usura