Coperchio della camera in carburo di silicio

Il coperchio della camera in carburo di silicio utilizzato nella crescita di cristalli singoli o MOCVD o nella lavorazione di manipolazione dei wafer deve sopportare temperature elevate e una pulizia chimica dura. Semicorex fornisce una costruzione in grafite rivestita di carburo di silicio (SiC) di elevata purezza che offre una resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato epi e una resistenza chimica duratura. Sono durevoli per sperimentare una combinazione di gas precursori volatili, plasma e alta temperatura.
Il nostro coperchio della camera in carburo di silicio è progettato per ottenere il miglior schema di flusso laminare del gas, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.
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Parametri del coperchio della camera in carburo di silicio

Caratteristiche del coperchio della camera in carburo di silicio

â Funzionalità ultrapiatte

â Lucidatura a specchio

â Eccezionale leggerezza

â Elevata rigidità

â Bassa dilatazione termica

â Estrema resistenza all'usura