SiC End Effector

Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di suscettori di grafite rivestiti in carburo di silicio in Cina. Ci concentriamo sulle industrie dei semiconduttori come gli strati di carburo di silicio e i semiconduttori epitassiali. Il nostro SiC End Effector ha un buon vantaggio di prezzo e copre molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Semicorex SiC End Effector è realizzato in grafite con rivestimento in carburo di silicio (SiC), il rivestimento viene applicato con un metodo CVD a gradi specifici di grafite ad alta densità, quindi può funzionare nel forno ad alta temperatura con oltre 3000 ° C in un'atmosfera inerte, 2200°C sottovuoto.

Il nostro SiC End Effector è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.

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Parametri di SiC End Effector

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300