Effettore finale SiC

Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di suscettore di grafite rivestito in carburo di silicio in Cina. Ci concentriamo sulle industrie dei semiconduttori come strati di carburo di silicio e semiconduttori epitassia. Il nostro effettore finale SiC ha un buon vantaggio in termini di prezzo e copre molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

L'effettore finale Semicorex SiC è realizzato in grafite con rivestimento in carburo di silicio (SiC), il rivestimento viene applicato con un metodo CVD a gradi specifici di grafite ad alta densità, quindi può funzionare nel forno ad alta temperatura con oltre 3000 °C in un'atmosfera inerte, 2200°C sotto vuoto.

Il nostro effettore finale SiC è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer.

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Parametri dell'effettore finale SiC

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300