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Coperchio della camera a vuoto MOCVD

Il coperchio della camera a vuoto MOCVD utilizzato nella crescita dei cristalli e nella lavorazione dei wafer deve resistere alle alte temperature e alla pulizia chimica aggressiva. Il coperchio della camera a vuoto MOCVD rivestito in carburo di silicio Semicorex progettato appositamente per resistere a questi ambienti difficili. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

I componenti in grafite Semicorex sono grafite rivestita in SiC di elevata purezza, utilizzata nel processo per far crescere il processo a cristallo singolo e wafer. La crescita del composto del coperchio della camera a vuoto MOCVD ha un'elevata resistenza al calore e alla corrosione, è durevole per sperimentare una combinazione di gas precursori volatili, plasma e alta temperatura.

Noi di Semicorex ci impegniamo a fornire prodotti e servizi di alta qualità ai nostri clienti. Utilizziamo solo i migliori materiali e i nostri prodotti sono progettati per soddisfare i più elevati standard di qualità e prestazioni. Il nostro coperchio per camera a vuoto MOCVD non fa eccezione. Contattaci oggi per saperne di più su come possiamo aiutarti con le tue esigenze di elaborazione di wafer semiconduttori.

Parametri del coperchio della camera a vuoto MOCVD

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300