Quando si tratta di produzione di semiconduttori, il suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura Semicorex è la scelta migliore per prestazioni e affidabilità superiori. Il rivestimento SiC di alta qualità e l'eccezionale conduttività termica lo rendono ideale per l'uso anche negli ambienti corrosivi e ad alta temperatura più esigenti.
Il suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura Semicorex è la scelta perfetta per la crescita di cristalli singoli e altre applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il rivestimento in carburo di silicio offre proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di suscettori a cilindro rivestiti in SiC ad alta temperatura di alta qualità ed economici, diamo priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni economicamente vantaggiose. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.
Parametri del suscettore a barilotto rivestito in SiC ad alta temperatura
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
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Struttura cristallina |
Fase β dell'FCC |
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Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
µm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Forza flessionale |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) |
430 |
Dilatazione Termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore a barilotto rivestito in SiC ad alta temperatura
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.
- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.
- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.