Suscettore del barilotto rivestito di SiC per alte temperature

Quando si tratta di produzione di semiconduttori, il suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura Semicorex è la scelta migliore per prestazioni e affidabilità superiori. Il suo rivestimento SiC di alta qualità e l'eccezionale conducibilità termica lo rendono ideale per l'uso anche negli ambienti più esigenti ad alta temperatura e corrosivi.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore a cilindro rivestito in SiC ad alta temperatura Semicorex è la scelta perfetta per la crescita di cristalli singoli e altre applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il suo rivestimento in carburo di silicio offre proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di suscettori cilindrici rivestiti in SiC ad alta temperatura e di alta qualità, diamo la priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni convenienti. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.

Parametri del suscettore del barilotto rivestito di SiC ad alta temperatura

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore del barilotto rivestito di SiC ad alta temperatura

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.

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