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Suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura

Suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura

Quando si tratta di produzione di semiconduttori, il suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura Semicorex è la scelta migliore per prestazioni e affidabilità superiori. Il rivestimento SiC di alta qualità e l'eccezionale conduttività termica lo rendono ideale per l'uso anche negli ambienti corrosivi e ad alta temperatura più esigenti.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore cilindrico rivestito in SiC ad alta temperatura Semicorex è la scelta perfetta per la crescita di cristalli singoli e altre applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il rivestimento in carburo di silicio offre proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di suscettori a cilindro rivestiti in SiC ad alta temperatura di alta qualità ed economici, diamo priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni economicamente vantaggiose. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.


Parametri del suscettore a barilotto rivestito in SiC ad alta temperatura

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche del suscettore a barilotto rivestito in SiC ad alta temperatura

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.




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