Il susceptor MOCVD con substrato in grafite di carburo di silicio Semicorex è la scelta definitiva per i produttori di semiconduttori che cercano un supporto di alta qualità in grado di offrire prestazioni e durata superiori. Il suo materiale avanzato garantisce un profilo termico uniforme e un modello di flusso di gas laminare, offrendo wafer di alta qualità.
Il nostro suscettore MOCVD con substrato in grafite di carburo di silicio è altamente puro, realizzato mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura, garantendo l'uniformità e la consistenza del prodotto. È inoltre altamente resistente alla corrosione, con una superficie densa e particelle fini che lo rendono resistente agli acidi, agli alcali, al sale e ai reagenti organici. La sua resistenza all'ossidazione alle alte temperature garantisce stabilità alle alte temperature fino a 1600°C.
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Parametri del suscettore MOCVD con substrato di grafite di carburo di silicio
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
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Struttura cristallina |
Fase β dell'FCC |
|
Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
µm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Forza flessionale |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) |
430 |
Dilatazione Termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore in grafite rivestito in SiC per MOCVD
- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità