Suscettore MOCVD con substrato di grafite al carburo di silicio

Semicorex Silicon Carbide Graphite Substrate MOCVD Susceptor è la scelta definitiva per i produttori di semiconduttori alla ricerca di un supporto di alta qualità in grado di offrire prestazioni e durata superiori. Il suo materiale avanzato garantisce un profilo termico uniforme e un modello di flusso di gas laminare, offrendo wafer di alta qualità.

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Descrizione del prodotto

Il nostro suscettore MOCVD con substrato di grafite al carburo di silicio è altamente puro, prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura, garantendo l'uniformità e la consistenza del prodotto. È anche altamente resistente alla corrosione, con una superficie densa e particelle fini, che lo rendono resistente ad acidi, alcali, sale e reagenti organici. La sua resistenza all'ossidazione ad alta temperatura garantisce stabilità alle alte temperature fino a 1600°C.
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Parametri del suscettore MOCVD del substrato di grafite al carburo di silicio

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore in grafite rivestito di SiC per MOCVD

- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità

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