Suscettori dell'epitassia in silicio

Puoi essere certo di acquistare suscettori di epitassia in silicone dalla nostra fabbrica. Il Silicon Epitaxy Susceptor di Semicorex è un prodotto di alta qualità e purezza utilizzato nell'industria dei semiconduttori per la crescita epitassiale del chip wafer. Il nostro prodotto ha una tecnologia di rivestimento superiore che assicura che il rivestimento sia presente su tutte le superfici, prevenendo il distacco. Il prodotto è stabile alle alte temperature fino a 1600°C, rendendolo adatto all'uso in ambienti estremi.

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Descrizione del prodotto

I nostri suscettori di epitassia in silicio sono realizzati mediante deposizione di vapore chimico CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura, garantendo un'elevata purezza. La superficie del prodotto è densa, con particelle fini ed elevata durezza, che lo rende resistente alla corrosione da acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Il nostro prodotto è progettato per ottenere il miglior schema di flusso laminare del gas, garantendo l'uniformità del profilo termico. I nostri suscettori epitassici in silicio impediscono qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità durante il processo di crescita epitassiale, garantendo risultati di alta qualità.
In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. I nostri suscettori di epitassia in silicio hanno un prezzo vantaggioso e vengono esportati in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri dei suscettori dell'epitassia al silicio

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Parametri dei suscettori dell'epitassia al silicio

- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità