Suscettori epitassia di silicio

Puoi essere certo di acquistare suscettori epitassia al silicio dalla nostra fabbrica. Il suscettore epitassiale in silicio di Semicorex è un prodotto di alta qualità e di elevata purezza utilizzato nell'industria dei semiconduttori per la crescita epitassiale del chip wafer. Il nostro prodotto ha una tecnologia di rivestimento superiore che garantisce che il rivestimento sia presente su tutte le superfici, impedendone il distacco. Il prodotto è stabile alle alte temperature fino a 1600°C, rendendolo adatto all'uso in ambienti estremi.

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Descrizione del prodotto

I nostri suscettori epitassia in silicio sono realizzati mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura, garantendo un'elevata purezza. La superficie del prodotto è densa, con particelle fini ed elevata durezza, che lo rendono resistente alla corrosione da acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Il nostro prodotto è progettato per ottenere il miglior modello di flusso laminare del gas, garantendo l'uniformità del profilo termico. I nostri suscettori epitassiali in silicio prevengono qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità durante il processo di crescita epitassiale, garantendo risultati di alta qualità.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. I nostri suscettori epitassia in silicio hanno un vantaggio in termini di prezzo e vengono esportati in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri dei suscettori dell'epitassia del silicio

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Parametri dei suscettori dell'epitassia del silicio

- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità