Sic Epi Wafer

I wafer Epi SIC Semicorex sono i wafer con uno strato di film di cristallo singolo SIC cresciuto sulla superficie del substrato mediante deposizione di vapore chimico (CVD). Il suo tipo di doping, la concentrazione di doping e lo spessore possono essere controllati con precisione in base ai requisiti di progettazione del dispositivo. È il componente principale dell'area funzionale del dispositivo.

Caratteristiche chiave dei wafer Epi SiC

Le prestazioni dei wafer epitassiali sono determinate dalle seguenti caratteristiche:

Caratteristiche doping:

I wafer Epi SIC raggiungono le proprietà elettriche richieste controllando con precisione la concentrazione di doping (tipo N o di tipo p) e l'uniformità di concentrazione è un indicatore chiave.

Controllo dello spessore:

Secondo i requisiti di progettazione del dispositivo, lo spessore dello strato epitassiale può variare da alcuni micron a decine di micron. Ad esempio, i dispositivi ad alta tensione richiedono strati epitassiali più spessi per supportare tensioni di rottura più elevate.

Qualità della superficie:

La piattaforma superficiale dello strato epitassiale influisce direttamente sulla precisione di produzione del dispositivo. La rugosità della superficie nanoscale e la bassa densità dei difetti sono requisiti chiave per i wafer epitassiali.

Processo di preparazione principale dei wafer Epi SIC

La produzione di wafer epitassiali è ottenuta principalmente attraverso la tecnologia CVD. La fonte di carbonio e i gas della sorgente di silicio reagiscono ad alta temperatura e vengono depositati sulla superficie del substrato per formare uno strato epitassiale.

Influenza dei parametri del processo:

Temperatura, flusso di gas, atmosfera e altri fattori influenzano direttamente lo spessore, l'uniformità del doping e la qualità della superficie dello strato epitassiale.

Il ruolo principale dei wafer Epi SIC

I wafer epitassiali svolgono un ruolo decisivo nei dispositivi SIC: come area attiva: fornire le proprietà elettriche richieste, come la formazione di canali attuali o giunzioni PN. Determina le prestazioni del dispositivo: come parametri chiave come la tensione di rottura e la resistenza.

Applicazioni in più campi di wafer Epi SIC

Nuovi veicoli energetici: un motore a doppia boost per la resistenza e le prestazioni

Mentre l'industria automobilistica globale accelera la sua trasformazione in elettrificazione, l'ottimizzazione delle prestazioni di nuovi veicoli energetici è diventata al centro della concorrenza tra i principali case automobilistiche. I wafer Epi SIC svolgono un ruolo indispensabile in questo. Nel componente principale dei nuovi veicoli energetici: il sistema di trasmissione del motore, i dispositivi di alimentazione basati su wafer epitassiali in carburo di silicio brillano. Può ottenere azioni di commutazione a frequenza più elevata, ridurre significativamente le perdite di commutazione e migliorare notevolmente l'efficienza operativa del motore. Questo è come iniettare una forte fonte di potenza nell'auto, che non solo aumenta efficacemente la gamma di crociera del veicolo, ma consente anche al veicolo di funzionare meglio in condizioni come accelerazione e arrampicata. Ad esempio, dopo che alcuni veicoli elettrici di fascia alta adottano moduli di alimentazione in carburo di silicio, la gamma di guida può essere aumentata del 10% al 15% e il tempo di ricarica può essere notevolmente ridotto, il che offre grande comodità e una migliore esperienza di guida agli utenti. Allo stesso tempo, in termini di caricabatterie a bordo (OBC) e Power Conversion Systems (DC-DC), l'applicazione di wafer epitassiali in carburo di silicio rende anche la ricarica più efficiente, di dimensioni più piccole e di peso più leggero, che aiuta a ottimizzare la struttura generale dell'auto.

Power Electronics: la pietra angolare della costruzione di una rete elettrica intelligente ed efficiente

Nel campo dell'elettronica di potenza, i wafer Epi SIC stanno aiutando la costruzione di griglie intelligenti a raggiungere nuove altezze. I dispositivi di potenza tradizionali a base di silicio stanno gradualmente rivelando i loro limiti di fronte alla crescente domanda di trasmissione e conversione. I wafer epitassiali in carburo di silicio, con le loro eccellenti caratteristiche ad alta tensione, ad alta temperatura e ad alta potenza, forniscono una soluzione ideale per l'aggiornamento delle apparecchiature di alimentazione. Nel collegamento di trasmissione di potenza, i dispositivi di alimentazione in carburo di silicio possono trasmettere energia elettrica su lunghe distanze con una maggiore efficienza, riducendo la perdita di energia durante il processo di trasmissione, proprio come la pavimentazione di una "autostrada" libera per l'energia elettrica, migliorando notevolmente la capacità di trasmissione della potenza e la stabilità della rete elettrica. In termini di conversione e distribuzione della potenza, l'uso di wafer epitassiali in carburo di silicio in trasformatori elettronici di potenza, dispositivi di compensazione reattiva e altre attrezzature in sottostazioni può controllare in modo più accurato i parametri di potenza, realizzare una regolazione intelligente della rete elettrica, migliorare efficacemente l'affidabilità e la qualità della potenza della rete elettrica e garantire una potenza stabile e affidabile nella nostra vita quotidiana.