Epitassia GaN

L'epitassia GaN al nitruro di gallio è un materiale semiconduttore ad ampia banda proibita con eccellenti proprietà elettriche e ottiche, che lo rendono un candidato promettente per vari dispositivi elettronici e optoelettronici.

L'epitassia GaN ha rivoluzionato lo sviluppo di dispositivi basati su GaN, tra cui elettronica ad alta potenza, illuminazione a stato solido (LED) e dispositivi ad alta frequenza. La capacità di far crescere strati epitassiali GaN di alta qualità con un controllo preciso sulle proprietà dei materiali ha notevolmente migliorato le prestazioni, l'efficienza e l'affidabilità dei dispositivi GaN, contribuendo ai progressi in vari settori, come l'elettronica di potenza, le telecomunicazioni e l'elettronica di consumo.