Epitassia del GaN

L'epitassia GaN del nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a banda larga con eccellenti proprietà elettriche e ottiche, che lo rendono un candidato promettente per vari dispositivi elettronici e optoelettronici.

L'epitassia GaN ha rivoluzionato lo sviluppo di dispositivi basati su GaN, tra cui l'elettronica ad alta potenza, l'illuminazione a stato solido (LED) e i dispositivi ad alta frequenza. La capacità di sviluppare strati epitassiali GaN di alta qualità con un controllo preciso sulle proprietà dei materiali ha migliorato significativamente le prestazioni, l'efficienza e l'affidabilità dei dispositivi GaN, contribuendo al progresso in vari settori, come l'elettronica di potenza, le telecomunicazioni e l'elettronica di consumo.