Piastra rivestita di sic

La piastra rivestita di SIC Semicorex è una componente ad alta prestazione ingegnerizzata appositamente progettata per l'equipaggiamento di crescita epitassiale (EPI), che richiede substrati stabili e di alta purezza per creare pellicole di alta qualità. È un nucleo di grafite ad alta resistenza, rivestito uniformemente e densamente con carburo di silicio (SIC), raggiungendo la resistività termica e meccanica senza pari della grafite ad alta resistenza combinata con la stabilità chimica e la durata superficiale di SIC. La piastra rivestita di SiC SIC Semicorex è costruita per sostenere i rigori estremi dei processi epitassiali per i semiconduttori composti tra cui SIC e GAN.

Il nucleo di grafite della piastra rivestita di SiC possiede una eccezionale conduttività termica, bassa densità e resistenza di shock termica superiore. La massa termica moderatamente bassa del nucleo di grafite bilanciata con un'eccellente conduttività termica consente una rapida distribuzione del calore uniformemente in un processo in cui i cicli di temperatura avvengono ad alte velocità. Lo strato esterno di SIC depositato dalla deposizione di vapore chimico (CVD), offre una barriera protettiva che aumenta la durezza, la resistenza alla corrosione e l'inertezza chimica, offrendo un valore immediato nella limitazione o nella prevenzione della generazione di particelle. Questa superficie elementare solida combinata con le caratteristiche fisiche della base di grafite, assicura un ambiente di processo di purezza molto elevato con un rischio molto o nessun rischio di generazione di difetti sugli strati epitassiali.

La precisione dimensionale e la piattaforma superficiale sono anche attributi essenziali della piastra rivestita di SiC. Ogni piastra è lavorata e rivestita con tolleranze strette al fine di garantire l'uniformità e la ripetibilità nelle prestazioni del processo. La superficie liscia e inerte riduce i siti di nucleazione per la deposizione di film indesiderati e migliora l'uniformità del wafer attraverso la superficie della piastra.

Nei reattori epitassiali, la piastra rivestita di SiC è in genere implementata come suscettore, fodera o scudo termico per dare struttura ed eseguire come mezzo di trasferimento di calore per il wafer elaborato. Le prestazioni stabili influenzeranno direttamente la qualità, la resa e la produttività del cristallo.