Deposizione epitassiale CVD nel reattore a botte

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor è un prodotto altamente durevole e affidabile per la crescita di strati epissiali su chip di wafer. La sua resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e l'elevata purezza lo rendono adatto all'uso nell'industria dei semiconduttori. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita dello strato epissiale di alta qualità.

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Descrizione del prodotto

Il nostro CVD Epitaaxial Deposition In Barrel Reactor è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni affidabili in ambienti estremi. La sua superiore adesione del rivestimento, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione lo rendono una scelta eccellente per l'uso in ambienti difficili. Inoltre, il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione garantiscono l'elevata qualità dello strato epissiale.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro CVD Epitaaxial Deposition In Barrel Reactor ha un prezzo vantaggioso e viene esportato in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri della deposizione epitassiale CVD nel reattore a botte

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche della deposizione epitassiale CVD nel reattore a botte

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.