Deposizione epitassiale CVD nel reattore a barile

Semicorex CVD Deposition In Barrel Reactor è un prodotto altamente durevole e affidabile per la crescita di strati epissiali su chip wafer. La sua resistenza all'ossidazione alle alte temperature e l'elevata purezza lo rendono adatto all'uso nell'industria dei semiconduttori. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita dello strato epissiale di alta qualità.

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Descrizione del prodotto

Il nostro reattore a deposizione epitassiale CVD in barile è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni affidabili in ambienti estremi. L'adesione superiore del rivestimento, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione lo rendono una scelta eccellente per l'uso in ambienti difficili. Inoltre, il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso del gas laminare e la prevenzione della contaminazione garantiscono l'elevata qualità dello strato epissiale.

Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro reattore a deposizione epitassiale CVD in barile presenta un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri della deposizione epitassiale CVD nel reattore a botte

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche della deposizione epitassiale CVD nel reattore a barile

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.